連続時間G_m-CバンドパスΔΣ変調器の設計(半導体材料・デバイス)
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概要
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HEMT (High Electron Mobility Transistor)を用いた2次連続時間バンドパスΔΣ変調器を設計し, SPICEシミュレーションによりSNR(信号対雑音比)等の性能評価を行った.変調器の高速化のために,高周波領域で量子化雑音を低減できるバンドパスΔΣ方式と,ループフィルタに連続時間フィルタを用いる連続時間方式を採用した.まず,バンドパスフィルタ,量子化器,D-A変換器の設計を行い,次にそれらを組み合わせた変調器全体のシミュレーションを行った.その結果,中心人力周波数か500MHzにおいて,帝域幅が32MHzでSNR=44dB (分解能7.0ビット相当),8MHzでSNR=52dB (同8.3ビット)の良好な性能か得られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-05-01
著者
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