InAsナノワイヤMISFETの高周波特性評価(機能ナノデバイス及び関連技術)
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概要
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InAsナノワイヤMISFETを作製し、高周波Sパラメータ測定を行うことでデバイスの高周波特性を評価した。また、得られたSパラメータを用いてg_m、C_<gs>、C_<gd>などの素子パラメータを抽出した。さらに各素子パラメータの経時変化を測定し、InAs/絶縁膜界面が高周波特性へ及ぼす影響を考察した。ドレイン電流は時間とともに減少していく特性が確認された。それに伴うユニティゲイン周波数の劣化はなく、むしろ微増していく傾向が確認された。これらの経時変化は電子の界面トラップの存在を示唆している。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-01-31
著者
-
和保 孝夫
上智大学理工学部
-
和保 孝夫
化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文特集編集委員会
-
Prost Werner
Solid State Electronics Department Gerhard-mercator-university Duisburg
-
Tegude Franz-josef
Solid State Electronics Department Gerhard-mercator-university Duisburg
-
Tegude Franz-josef
Solid-state Electronics Department University Of Duisburg-essen
-
Prost Werner
Solid-state Electronics Department University Of Duisburg-essen
-
渡邉 龍郎
上智大学理工学部
-
乙幡 温
上智大学理工学部
-
Blekker Kai
Solid-State Electronics Department, University of Duisburg-Essen
-
Blekker Kai
Solid-state Electronics Department University Of Duisburg-essen
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