4RTD論理回路の動作解析(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
4RTD論理回路のOR/AND及びNOR/NAND動作領域について解析を行った。理論式と回路シミュレーション結果に基づき、RTDの面積、出力抵抗、入力電流に対して、動作領域を拡大させるための設計指針を示した。特に、動作領域の拡大には入力電流の増加が有効なこと、また、OR/AND動作領域がNOR/NAND動作領域に比べ広いことを明らかにし、回路測定実験により、その妥当性を実証した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-01-23
著者
関連論文
- C-10-1 共鳴トンネルダイオードを用いた新しい論理回路の提案(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- 新しい4RTD論理回路(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- RTDを用いた超高速フラッシュADCの設計
- 共鳴トンネル4RTD論理回路の動作解析
- 共鳴トンネル4RTD論理回路の動作解析(共鳴トンネルダイオードと回路応用,量子効果デバイス及び関連技術)
- 4RTD論理ゲートの試作と動作確認,AWAD2006)
- 4RTD論理ゲートの試作と動作確認
- A-1-2 電流モード非同期式ΔΣ変調器の設計(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- ダイナミクス・ソースフォロワ増幅器を用いたスイッチト・キャパシタ積分器(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- ダイナミクス・ソースフォロワ増幅器を用いたスイッチト・キャパシタ積分器(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- ダイナミック・ソースフォロワ増幅器を用いたスイッチト・キャパシタ積分器
- C-10-3 電流源負荷型HEMT比較器の再生時間の評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 共鳴トンネル素子を用いた超高速コンパレータ(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 共鳴トンネル素子を用いた超高速コンパレータ(機能ナノデバイス及び関連技術)
- C-10-2 4RTD論理回路を用いたナノパイプライン全加算器の設計(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- 4RTD論理回路の動作解析(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- 4RTD論理回路の動作解析(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- 共鳴トンネル4RTD論理回路の動作解析(共鳴トンネルダイオードと回路応用,量子効果デバイス及び関連技術)
- A-1-32 電流モード連続時間ΔΣ変調器の設計と電圧モードとの比較(A-1.回路とシステム,一般講演)
- A-1-1 連続時間型ΔΣ変調器におけるSNRのコンパレータ回復時間依存性(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- C-10-13 HEMTコンパレータを用いた連続時間2次ΔΣ変調器の性能比較(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 連続時間G_m-CバンドパスΔΣ変調器の設計(半導体材料・デバイス)
- C-10-7 連続時間Gm-Cバンドパス△Σ変調器の設計
- 共鳴トンネル量子化器を用いた2次連続時間ΔΣ変調器
- C-10-18 共鳴トンネル量子化器を用いた連続時間ΔΣ変調器
- 4RTD論理ゲートの試作と動作確認
- C-10-8 共鳴トンネルダイオードの高周波小信号パラメタ測定
- A-1-16 コンパレータのメタスタビリティに起因する連続時間型ΔΣ変調器のSNR劣化(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- A-1-16 ツリー型動的要素整合回路の設計と評価(A-1. 回路とシステム, 基礎・境界)
- A-1-17 多ビットΔΣ変調器のための動的要素整合化回路の設計
- A-1-48 1V2次電流モード連続時間バンドパスΔΣ変調器(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- A-1-14 1V 2次 電流モード連続時間ΔΣ変調器の設計(A-1. 回路とシステム,一般セッション)
- A-1-11 時間領域ADCにおける非直線性の補正(A-1. 回路とシステム,一般セッション)
- AS-1-9 オペアンプシェア0.8VアルゴリズミックA/Dの変換器の設計(AS-1.AD/DA変換回路のモデリング、シミュレーション、設計、評価技術,シンポジウム)
- AS-1-4 1V電流モード連続時間ΔΣ変調器の設計(AS-1.AD/DA変換回路のモデリング、シミュレーション、設計、評価技術,シンポジウム)
- C-10-5 RTD/HEMTサブテラヘルツ発振回路(C-10.電子デバイス,一般講演)
- RTD/HEMT発振回路の動作解析(量子効果デバイス及び関連技術)
- RTD/HEMT発振回路の動作解析(量子効果デバイス及び関連技術)
- RTD/HEMT発振回路の動作解析
- RTD/HEMT発振回路の動作解析
- C-10-4 HEMT比較器における分解能の動的評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- CP-1-5 量子デバイス集積回路(CP-1.量子およびナノデバイスロードマップ,パネルセッション,ソサイエティ企画)
- 共鳴トンネルダイオードを用いた高速A/D変換器
- 新しい4RTD論理回路(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- RTDを用いた超高速フラッシュADCの設計
- C-10-3 4RTD論理回路の動作実験(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-2 共鳴トンネルMOBILE量子化器の分解能評価(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- AS-1-3 位相シフト法による連続時間型ΔΣ変調器クロックジッタ耐性の向上(AS-1.AD/DA変換回路のモデリング、シミュレーション、設計、評価技術,シンポジウム)
- 超高速A/D変換器のためのHEMT比較器の設計(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 超高速A/D変換器のためのHEMT比較器の設計(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- C-10-1 4倍速MOBILE論理回路の提案(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 共鳴トンネル差動MOBILEの動作解析(量子ナノデバイスと回路応用)
- 共鳴トンネル差動MOBILEの動作解析(量子ナノデバイスと回路応用)
- C-10-8 完全差動型MOBILEを用いたバンドパス型ΔΣ変調器の設計(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- 差動型MOBILEゲートの提案とΔΣ型変調器への応用(量子効果デバイス及び関連技術)
- 差動型MOBILEゲートの提案とΔΣ型変調器への応用(量子効果デバイス及び関連技術)
- 差動型MOBILEゲートの提案とΔ〓型変調器への応用
- 差動型MOBILEゲートの提案とΔ〓型変調器への応用
- 共鳴トンネル量子化器を用いた連続時間ΔΣ変調器の設計(量子効果デバイス及び関連技術)
- 共鳴トンネル量子化器を用いた連続時間△Σ変調器の設計(量子効果デバイス及び関連技術)
- C-10-10 RTD/HEMT発振回路の提案(C-10.電子デバイス)
- C-10-13 HEMTコンパレータを用いた連続時間バンドパスΔΣ変調器の設計(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- A-1-26 高速D/A変換器におけるSFDRの評価(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- CT-2-4 A/D変換における量子化雑音抑制技術 : ΔΣ変調器のノイズシェイピング(CT-2.電子デバイスおよび集積システムにおける雑音の解析・抑制・応用に関する最先端技術-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- A-1-10 ダイナミック比較器と閾値論理回路を用いたフラッシュADCの設計(A-1.回路とシステム,一般講演)
- 化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文特集の発行にあたって
- 「エレクトロニクスの拡散とソサエティの求心力」(NEWS LETTER)
- SC-11-4 共鳴トンネル回路を用いたフラッシュ型A/D変換器の設計(SC-11.新概念VLSI : 先進アーキテクチャ,新回路,デバイス技術)
- A-1-13 連続時間多ビットΔΣ変調器におけるジッタの影響
- C-10-9 共鳴トンネル差動量子化器を用いた連続時間ΔΣ変調器の設計
- TC-1-4 共鳴トンネル素子の超高速回路応用
- A-1-19 連続時間ΔΣ変調器の設計と試作
- C-10-6 パイプライン方式による共鳴トンネルA/D変換器の高精度化の可能性
- C-10-5 共鳴トンネルMML/MOBILE論理ゲートを用いた5bit A/D変換器
- C-10-17 共鳴トンネル多重閾値論理ゲームを用いた4ビットA/D変換器
- C-10-1 共鳴トンネル多重閾値論理ゲート
- A-1-33 インバータを用いたΔΣ変調器の消費電力評価(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- C-10-15 DCキャンセルパスを持つスイッチトソースフォロワ型サンプルホールド回路(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-5 InAsナノワイヤMISFETの高周波特性評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- InAsナノワイヤMISFETの高周波特性評価 (電子デバイス)
- InAsナノワイヤMISFETの高周波特性評価 (シリコン材料・デバイス)
- A-1-44 デュアルカウント方式を用いた時間領域A/D変換器の設計(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- A-1-43 高速D/A変換器における高調波歪の評価(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- C-12-50 ダイナミック・ソースフォロア積分器を用いた低消費電力2次ΔΣ変調器(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-10-10 高速低歪みHEMTサンプルホールド回路の設計(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- InAsナノワイヤMISFETの高周波特性評価(機能ナノデバイス及び関連技術)
- InAsナノワイヤMISFETの高周波特性評価(機能ナノデバイス及び関連技術)
- C-10-1 InAsナノワイヤのSi基板上への電界アシスト自己整合堆積(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- A-1-5 冗長Junction-Splitting容量アレイを用いたSAR ADC(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- A-1-3 利得調整可能なダイナミック・ソースフォロワ積分器(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- C-12-68 弱反転インバータ積分器を用いた低消費電力ΔΣ変調器(C-12.集積回路)
- InAsナノワイヤの電界アシスト自己整合堆積プロセス(機能ナノデバイス及び関連技術)
- A-1-17 ダイナミック積分器を用いた低消費電力2次△Σ変調器(A-1.回路とシステム)
- InAsナノワイヤの電界アシスト自己整合堆積プロセス(機能ナノデバイス及び関連技術)