共鳴トンネル4RTD論理回路の動作解析(共鳴トンネルダイオードと回路応用,量子効果デバイス及び関連技術)
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概要
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RTDの持つ負性微分抵抗を利用することによって、HEMTを用いることなくOR/ANDおよびNOR/NANDの論理動作を実現できる4RTD論理回路が提案されている。本報告では臨界電流の考え方を用いて4RTD論理回路の動作を解析する手法を新たに提案する。臨界電流の入力電流依存性を回路シミュレーションの結果と比較することで、解析手法の妥当性を確認した。また、この解析手法から得られた設計指針をもとに4RTD論理回路を構成するRTD面積を最適化し、動作領域の拡大を図った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-01-25
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