和保 孝夫 | 上智大学理工学部

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概要

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関連著者

• 和保 孝夫

  上智大学理工学部

• 和保 孝夫

  上智大学理工学部電気・電子工学科

• 和保 孝夫

  化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文特集編集委員会

• 江幡 友彦

  上智大学理工学部

• 和保 孝夫

  上智大学 理工学部

• 江口 慶亮

  上智大学理工学部

• 中川 伸平

  上智大学理工学部電気・電子工学科

• 渡邉 龍郎

  上智大学理工学部

• 町田 和也

  上智大学 理工学部

• 地橋 優

  上智大学理工学部

• 菅原 健太郎

  上智大学理工学部

• 奥山 太樹

  上智大学理工学部

• 岡崎 弘志

  上智大学理工学部電気・電子工学科

• 村松 直和

  上智大学理工学部電気・電子工学科

• 岡崎 弘志

  上智大学理工学部

• 村松 直和

  上智大学理工学部

• 矢口 僚人

  上智大学理工学部

• 山田 英明

  上智大学理工学部電気・電子工学科

• 山田 晃敬

  上智大学理工学部

• 安達 美志

  上智大学理工学部

• 和田 紘典

  上智大学理工学部電気・電子工学科

• 矢口 僚人

  上智大学理工学部電気・電子工学科

• 町田 和也

  上智大学理工学部

• 松浦 浩二

  上智大学理工学部電気・電子工学科

• 渡辺 裕

  上智大学理工学部

• 辻 裕樹

  上智大学理工学部

• 奥山 大樹

  上智大学理工学部

• ド タイ

  デュースブルグ・エッセン大学固体電子工学科

• コレンコ ヴィクタ

  デュースブルグ・エッセン大学固体電子工学科

• プロスト ウェルナ

  デュースブルグ・エッセン大学固体電子工学科

• 下村 和彦

  上智大学理工学部

• 大前 宇一郎

  上智大学理工学部

• 三簾 浩一

  上智大学 理工学部

• Prost Werner

  Solid State Electronics Department Gerhard-mercator-university Duisburg

• 遠山 雄二

  上智大学理工学部

• 服部 和史

  上智大学理工学部電気・電子工学科

• Tegude Franz-josef

  Solid State Electronics Department Gerhard-mercator-university Duisburg

• Tegude Franz-josef

  Solid-state Electronics Department University Of Duisburg-essen

• Prost Werner

  Solid-state Electronics Department University Of Duisburg-essen

• 乙幡 温

  上智大学理工学部

• Blekker Kai

  Solid-State Electronics Department, University of Duisburg-Essen

• Blekker Kai

  Solid-state Electronics Department University Of Duisburg-essen

• 道又 賢司

  上智大学理工学部

• 船山 裕晃

  上智大学理工学部

• 村上 新

  上智大学理工学部

• 松芝 亮

  上智大学理工学部

• 草野 恵一

  上智大学理工学部

• 西上 義人

  上智大学理工学部

• 加藤 了三

  上智大学理工学部電気・電子工学科

• 芥川 一樹

  上智大学 理工学部

• 星 啓太

  上智大学理工学部

• 野口 和久

  上智大学理工学部

• 中村 俊佑

  上智大学理工学部電気・電子工学科

• 小野 大騎

  上智大学理工学部

• 小谷 博亮

  上智大学理工学部

• 森山 顕矩

  上智大学理工学部

• 谷山 諭

  上智大学理工学部

• 松崎 秀昭

  NTTフォトニクス研究所

• 栗林 和輝

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• 渡辺 貴士

  上智大学理工学部

• 小林 章二

  上智大学 理工学部

• 宮本 尚幸

  上智大学 理工学部

• 小林 真也

  上智大学理工学部電気・電子工学科

• 松浦 浩二

  上智大学 理工学部 電気・電子工学科

• 池浦 一賢

  上智大学理工学部電気・電子工学科

• 室塚 真毅

  上智大学 理工学部

• 芥川 一樹

  上智大学理工学部

• 三簾 浩一

  上智大学理工学部

• 須賀 隆史

  上智大学理工学部

• Do Thai

  Duisburg-Essen University

• Khorenko Victor

  Duisburg-Essen University

• Prost Werner

  Duisburg-Essen University

• 松崎 秀昭

  Ntt フォトニクス研

• 原嶋 康充

  上智大学理工学部電気・電子工学科

• 谷畑 光洋

  上智大学理工学部電気・電子工学科

• 増田 貴志

  上智大学理工学部電気・電子工学科

• 秋山 俊介

  上智大学 理工学部 電気・電子工学科

• 吉川 広太郎

  上智大学理工学部電気・電子工学科

• 武井 一史

  上智大学理工学部電気・電子工学科

• 濱田 則史

  上智大学理工学部電気・電子工学科

• 服部 和史

  上智大学 理工学部 電気・電子工学科

• 秋山 俊介

  上智大学理工学部電気・電子工学科

• 馬場 健人

  上智大学理工学部

• 安達 美志

  上智大学理工学部電気・電子工学科

• 佐々木 達也

  上智大学理工学部

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著作論文

• C-10-1 共鳴トンネルダイオードを用いた新しい論理回路の提案(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
• 新しい4RTD論理回路(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• RTDを用いた超高速フラッシュADCの設計
• 共鳴トンネル4RTD論理回路の動作解析
• 共鳴トンネル4RTD論理回路の動作解析(共鳴トンネルダイオードと回路応用,量子効果デバイス及び関連技術)
• 4RTD論理ゲートの試作と動作確認,AWAD2006)
• 4RTD論理ゲートの試作と動作確認
• A-1-2 電流モード非同期式ΔΣ変調器の設計(A-1.回路とシステム,一般セッション)
• ダイナミクス・ソースフォロワ増幅器を用いたスイッチト・キャパシタ積分器(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
• ダイナミクス・ソースフォロワ増幅器を用いたスイッチト・キャパシタ積分器(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
• C-10-3 電流源負荷型HEMT比較器の再生時間の評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 共鳴トンネル素子を用いた超高速コンパレータ(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 共鳴トンネル素子を用いた超高速コンパレータ(機能ナノデバイス及び関連技術)
• C-10-2 4RTD論理回路を用いたナノパイプライン全加算器の設計(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• 4RTD論理回路の動作解析(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• 4RTD論理回路の動作解析(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• 共鳴トンネル4RTD論理回路の動作解析(共鳴トンネルダイオードと回路応用,量子効果デバイス及び関連技術)
• A-1-32 電流モード連続時間ΔΣ変調器の設計と電圧モードとの比較(A-1.回路とシステム,一般講演)
• A-1-1 連続時間型ΔΣ変調器におけるSNRのコンパレータ回復時間依存性(A-1.回路とシステム,一般セッション)
• C-10-13 HEMTコンパレータを用いた連続時間2次ΔΣ変調器の性能比較(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 連続時間G_m-CバンドパスΔΣ変調器の設計(半導体材料・デバイス)
• C-10-7 連続時間Gm-Cバンドパス△Σ変調器の設計
• 共鳴トンネル量子化器を用いた2次連続時間ΔΣ変調器
• C-10-18 共鳴トンネル量子化器を用いた連続時間ΔΣ変調器
• 4RTD論理ゲートの試作と動作確認
• C-10-8 共鳴トンネルダイオードの高周波小信号パラメタ測定
• A-1-16 コンパレータのメタスタビリティに起因する連続時間型ΔΣ変調器のSNR劣化(A-1.回路とシステム,一般セッション)
• A-1-16 ツリー型動的要素整合回路の設計と評価(A-1. 回路とシステム, 基礎・境界)
• A-1-17 多ビットΔΣ変調器のための動的要素整合化回路の設計
• A-1-48 1V2次電流モード連続時間バンドパスΔΣ変調器(A-1.回路とシステム,一般セッション)
• A-1-14 1V 2次 電流モード連続時間ΔΣ変調器の設計(A-1. 回路とシステム,一般セッション)
• A-1-11 時間領域ADCにおける非直線性の補正(A-1. 回路とシステム,一般セッション)
• AS-1-9 オペアンプシェア0.8VアルゴリズミックA/Dの変換器の設計(AS-1.AD/DA変換回路のモデリング、シミュレーション、設計、評価技術,シンポジウム)
• AS-1-4 1V電流モード連続時間ΔΣ変調器の設計(AS-1.AD/DA変換回路のモデリング、シミュレーション、設計、評価技術,シンポジウム)
• C-10-5 RTD/HEMTサブテラヘルツ発振回路(C-10.電子デバイス,一般講演)
• RTD/HEMT発振回路の動作解析(量子効果デバイス及び関連技術)
• RTD/HEMT発振回路の動作解析(量子効果デバイス及び関連技術)
• RTD/HEMT発振回路の動作解析
• RTD/HEMT発振回路の動作解析
• C-10-4 HEMT比較器における分解能の動的評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• CP-1-5 量子デバイス集積回路(CP-1.量子およびナノデバイスロードマップ,パネルセッション,ソサイエティ企画)
• 共鳴トンネルダイオードを用いた高速A/D変換器
• 新しい4RTD論理回路(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• RTDを用いた超高速フラッシュADCの設計
• C-10-3 4RTD論理回路の動作実験(C-10.電子デバイス,一般講演)
• C-10-2 共鳴トンネルMOBILE量子化器の分解能評価(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
• AS-1-3 位相シフト法による連続時間型ΔΣ変調器クロックジッタ耐性の向上(AS-1.AD/DA変換回路のモデリング、シミュレーション、設計、評価技術,シンポジウム)
• 超高速A/D変換器のためのHEMT比較器の設計(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• 超高速A/D変換器のためのHEMT比較器の設計(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• C-10-1 4倍速MOBILE論理回路の提案(C-10.電子デバイス,一般講演)
• 共鳴トンネル差動MOBILEの動作解析(量子ナノデバイスと回路応用)
• 共鳴トンネル差動MOBILEの動作解析(量子ナノデバイスと回路応用)
• C-10-8 完全差動型MOBILEを用いたバンドパス型ΔΣ変調器の設計(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
• 差動型MOBILEゲートの提案とΔΣ型変調器への応用(量子効果デバイス及び関連技術)
• 差動型MOBILEゲートの提案とΔΣ型変調器への応用(量子効果デバイス及び関連技術)
• 差動型MOBILEゲートの提案とΔ〓型変調器への応用
• 差動型MOBILEゲートの提案とΔ〓型変調器への応用
• 共鳴トンネル量子化器を用いた連続時間ΔΣ変調器の設計(量子効果デバイス及び関連技術)
• 共鳴トンネル量子化器を用いた連続時間△Σ変調器の設計(量子効果デバイス及び関連技術)
• C-10-10 RTD/HEMT発振回路の提案(C-10.電子デバイス)
• C-10-13 HEMTコンパレータを用いた連続時間バンドパスΔΣ変調器の設計(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• A-1-26 高速D/A変換器におけるSFDRの評価(A-1.回路とシステム,一般セッション)
• CT-2-4 A/D変換における量子化雑音抑制技術 : ΔΣ変調器のノイズシェイピング(CT-2.電子デバイスおよび集積システムにおける雑音の解析・抑制・応用に関する最先端技術-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
• A-1-10 ダイナミック比較器と閾値論理回路を用いたフラッシュADCの設計(A-1.回路とシステム,一般講演)
• 化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文特集の発行にあたって
• 「エレクトロニクスの拡散とソサエティの求心力」(NEWS LETTER)
• SC-11-4 共鳴トンネル回路を用いたフラッシュ型A/D変換器の設計(SC-11.新概念VLSI : 先進アーキテクチャ,新回路,デバイス技術)
• A-1-13 連続時間多ビットΔΣ変調器におけるジッタの影響
• C-10-9 共鳴トンネル差動量子化器を用いた連続時間ΔΣ変調器の設計
• TC-1-4 共鳴トンネル素子の超高速回路応用
• A-1-19 連続時間ΔΣ変調器の設計と試作
• C-10-6 パイプライン方式による共鳴トンネルA/D変換器の高精度化の可能性
• C-10-5 共鳴トンネルMML/MOBILE論理ゲートを用いた5bit A/D変換器
• C-10-17 共鳴トンネル多重閾値論理ゲームを用いた4ビットA/D変換器
• C-10-1 共鳴トンネル多重閾値論理ゲート
• A-1-33 インバータを用いたΔΣ変調器の消費電力評価(A-1.回路とシステム,一般セッション)
• C-10-15 DCキャンセルパスを持つスイッチトソースフォロワ型サンプルホールド回路(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-5 InAsナノワイヤMISFETの高周波特性評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• InAsナノワイヤMISFETの高周波特性評価 (電子デバイス)
• InAsナノワイヤMISFETの高周波特性評価 (シリコン材料・デバイス)
• A-1-44 デュアルカウント方式を用いた時間領域A/D変換器の設計(A-1.回路とシステム,一般セッション)
• A-1-43 高速D/A変換器における高調波歪の評価(A-1.回路とシステム,一般セッション)
• C-12-50 ダイナミック・ソースフォロア積分器を用いた低消費電力2次ΔΣ変調器(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-10-10 高速低歪みHEMTサンプルホールド回路の設計(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• InAsナノワイヤMISFETの高周波特性評価(機能ナノデバイス及び関連技術)
• InAsナノワイヤMISFETの高周波特性評価(機能ナノデバイス及び関連技術)
• C-10-1 InAsナノワイヤのSi基板上への電界アシスト自己整合堆積(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• A-1-5 冗長Junction-Splitting容量アレイを用いたSAR ADC(A-1.回路とシステム,一般セッション)
• A-1-3 利得調整可能なダイナミック・ソースフォロワ積分器(A-1.回路とシステム,一般セッション)
• C-12-68 弱反転インバータ積分器を用いた低消費電力ΔΣ変調器(C-12.集積回路)
• InAsナノワイヤの電界アシスト自己整合堆積プロセス(機能ナノデバイス及び関連技術)
• A-1-17 ダイナミック積分器を用いた低消費電力2次△Σ変調器(A-1.回路とシステム)
• InAsナノワイヤの電界アシスト自己整合堆積プロセス(機能ナノデバイス及び関連技術)

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