GaInAs/InP多重量子井戸構造屈折率分布型光偏向素子の解析と試作
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
屈折率が傾斜するように分布させた構造の光偏向器を提案した. この光偏向器を実現するための構造として, 多電極型と櫛型電極の二つの構造について, ビーム伝搬法を用いた数値解析を行い, 偏向角, 偏向効率等の構造依存性を明らかにした. そして実際にGaInAs/InP多重量子井戸構造をもとに光偏向器を試作し, 電界印加による基本的な光偏向動作と入射光波長依存性を確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-02-25
著者
関連論文
- 階段型屈折率分布アレイ導波路を用いた波長選択スイッチのBPM解析と試作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- InP基板上ZnCdSe/MgZnCdSe MQW構造における量子閉じ込めシュタルク効果と共振型光変調器への適用
- GaInAsP/InP MQW導波路型光偏向器の偏向特性
- 29a-NE-11 GaInAsP/InP MQW構造屈折率分布型導波路光偏向器の試作
- 29a-NE-10 FD-BPMによる屈折率分布型導波路光偏向器の数値解析
- 屈折率分布アレイ導波路における波長スイッチングの解析(光部品の実装・信頼性、一般)
- 屈折率分布アレイ導波路における波長スイッチングの解析(光部品の実装・信頼性,一般)
- CLEO/QELS'95報告 III-半導体レ-ザ-,光スイッチ,演算・記憶システム,光検出器とEO技術,ファイバ-レ-ザ-,光通信-
- 屈折率分布アレイ導波路における波長スイッチングの解析(光部品の実装・信頼性,一般)
- 光制御MOSFETにおける光応答特性のゲート長依存性
- 光制御MOSFETの試作とその光入射特性
- B-12-11 MQW平均屈折率法による直列型回折格子フィルタの設計法
- 階段型屈折率分布アレイ導波路を用いた波長選択スイッチのBPM解析と試作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 熱光学効果型GaInAs/InP MQW波長選択スイッチの4波長スイッチング特性(光部品の実装・信頼性,一般)
- 熱光学効果型GaInAs/InP MQW波長選択スイッチの4波長スイッチング特性(光部品の実装・信頼性,一般)
- 熱光学効果型GaInAs/InP MQW波長選択スイッチの4波長スイッチング特性(光部品の実装・信頼性,一般)
- 選択成長導波路アレイを用いた熱光学効果型波長スイッチ(光部品の実装・信頼性,一般)
- 選択成長導波路アレイを用いた熱光学効果型波長スイッチ(光部品の実装・信頼性,一般)
- 選択成長導波路アレイを用いた熱光学効果型波長スイッチ(光部品の実装・信頼性,一般)
- 選択成長導波路アレイを用いた熱光学効果光偏向器・光スイッチに関する研究(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 選択成長導波路アレイを用いた熱光学効果光偏向器・光スイッチに関する研究(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 選択成長による半導体導波路アレイを用いた波長分波器・光偏向器(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,フォトニック結晶,MEMS)光ファイバ,一般)
- 選択成長GaInAs/InP MQW 波長分波器の基礎検討(光波ネットワーク・光アクセスに向けた光波デバイス,光集積回路,一般)
- 階段型屈折率分布アレイ導波路における波長分波特性
- 階段型屈折率分布アレー導波路を用いた1.55μm帯光偏向器に関する理論解析
- アレイ導波路型光スイッチのための多モード干渉素子の設計 : アレイ導波路型波長分割素子への応用
- 量子ドットアレイ導波路の作製とデバイス応用(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 量子ドットアレイ導波路の作製とデバイス応用(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 櫛型電極を用いた半導体光偏向素子の偏向特性
- GaInAs/InP多重量子井戸構造屈折率分布型光偏向素子の解析と試作
- 屈折率分布アレイ導波路における波長スイッチングの解析
- ダブルキャップ法を用いたMOVPE選択成長によるInAs量子ドット広帯域LED(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ダブルキャップ法を用いたMOVPE選択成長によるInAs量子ドット広帯域LED(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ダブルキャップ法を用いたMOVPE選択成長によるInAs量子ドット広帯域LED(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ダブルキャップ法を用いたMOVPE選択成長によるInAs量子ドット広帯域LED(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 屈折率分布アレイ導波路における波長スイッチングの解析
- アレイ導波路を用いたCWDM用一波分波器の検討
- 三角形状ヒータを用いたGaInAs/InP MQW波長スイッチのスイッチング特性(光部品・光デバイスの実装・信頼性,一般)
- 三角形状ヒータを用いたGaInAs/InP MQW波長スイッチのスイッチング特性(光部品・光デバイスの実装・信頼性,一般)
- 三角形状ヒータを用いたGaInAs/InP MQW波長スイッチのスイッチング特性(光部品・光デバイスの実装・信頼性,一般)
- 集積型光制御HEMTの動作特性
- SiO_2/InP直接貼付技術を用いた光制御MOSFETの光応答特性
- 直接貼付光制御 FET における光応答特性
- 選択成長アレイ導波路を用いた波長スイッチングの検討(光波センシング,光波制御,検出,光計測,ニュロ,一般)
- 光制御CMOSの開発--光配線のための光-電気変換素子
- 省電力化を実現するデバイス技術の現状と展望 (特集 注目度&緊急度120% 省エネ・高効率化設計)
- 高性能光制御MOSFETの開発
- これからの工学教育を考える : 若手教員大いに語る
- 選択成長InAs量子ドットアレイLEDのスペクトル解析(光波ネットワーク・光アクセスに向けた光波デバイス,光集積回路,一般(OFC報告,IEEE IPS Japan Chapter講演会))
- 量子ドットアレイ導波路の作製とデバイス応用
- 量子ドットアレイ導波路の作製とデバイス応用
- C-4-26 MOVPE選択成長およびダブルキャップ法を用いたアレイ導波路型InAs量子ドットLEDのスペクトル特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-5 電界効果GaInAs/InP MQWアレイ導波路型波長スイッチの動作特性と解析(光スイッチ(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-10-1 InAsナノワイヤのSi基板上への電界アシスト自己整合堆積(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- InAsナノワイヤの電界アシスト自己整合堆積プロセス(機能ナノデバイス及び関連技術)
- InAsナノワイヤの電界アシスト自己整合堆積プロセス(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 直接貼付InPテンプレートを用いた異種基板上MOVPE結晶成長(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 直接貼付InPテンプレートを用いた異種基板上MOVPE結晶成長(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)