光制御MOSFETの試作とその光入射特性
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概要
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pinフォトダイオードを吸収領域とする光制御MOSFETを試作、その光入射特性を測定した。光制御MOSFETは光入射により吸収領域に生じた電位変化を直接MOSFETのゲート制御とし、トレイン電流を変化させるものである。その応答速度は吸収領域応答速度に依存し、高帯域幅での使用が可能である。特性測定の結果、入射光波長λ=1.48μmにて最大変調電流量ΔI_<DS>=129.4μA、最大相対変調率ΔI_<DS>/ I_<DS>(P_<in>=0mW)=6.8%、最大応答感度R=114A/Wを得た。
- 1996-02-15
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