AlAs選択酸化を利用する極微構造InGaAs/GaAs面発光レーザに関する基礎的検討
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概要
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将来の超並列光インタコネクト実現のためには, 低しきい値動作をするレーザが必要不可欠である. まず, InGaAs/GaAs系面発光レーザのしきい値特性について議論を行い, 100μAを下回る低しきい値動作の可能性を示した. 次いで, 低しきい値面発光レーザ実現に有望なAlAs酸化膜を用いる電流狭窄構造を採用すると共に, AlAs酸化膜形成条件を明らかにした. 実際にAlAs酸化膜をもつ新しい型のInGaAs/GaAs面発光レーザを製作し, 電流注入領域の微小化および非発光再結合電流の低減により70μAの極低しきい値動作を達成した. 今後, 酸化膜のより精密な制御と極微化により更に低いしきい値動作が期待できることを予測した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-09-25
著者
-
松谷 晃宏
東京工業大学 精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所
-
伊賀 健一
東京工業大学精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
小山 二三夫
東京工業大学
-
伊賀 健一
東京工業大学
-
羽鳥 伸明
東京工業大学精密工学研究所
-
向原 智一
東京工業大学精密光学研究所
-
向原 智一
東京工業大学精密工学研究所
-
大軒 紀之
東京工業大学精密工学研究所
-
水谷 章成
東京工業大学精密工学研究所
-
阿部 誠
東京工業大学精密工学研究所
-
松谷 晃宏
東京工業大学
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