MEMS技術を用いた面発光レーザの波長温度係数の増大と波長可変動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
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概要
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GaAs系850nm帯の面発光レーザ(VCSEL)に熱駆動のマイクロマシン反射鏡を集積した,波長可変VCSELの設計と実験を行ったので報告する.計算により,通常のVCSELの波長温度係数Δλ/ΔTの10倍以上を実現できる可能性を示した.また実験では,波長温度係数0.79 nm/Kを得るとともに,片持ち梁構造に電気的な加熱機構を導入し,波長掃引幅4.7nmを得た.
- 2011-08-18
著者
-
松谷 晃宏
東京工業大学 精密工学研究所
-
佐野 勇人
東京工業大学精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
小山 二三夫
東京工業大学
-
松谷 晃宏
東京工業大学精密工学研究所
-
中田 紀彦
東京工業大学精密工学研究所
-
中濱 正統
東京工業大学精密工学研究所
-
中濱 正統
東京工業大学精密工学研究所フォトニクス集積システム研究センター
-
松谷 晃宏
東京工業大学
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