C-3-23 中空光導波路による凹面回折格子型光分波回路
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-10
著者
-
松谷 晃宏
東京工業大学 精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所
-
三浦 達
東京工業大学精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
小山 二三夫
東京工業大学
-
石川 真弓
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
三浦 達
東京工大 精密工研
-
松谷 晃宏
東京工業大学
関連論文
- 微小メサ構造を用いた面発光レーザの直接変調特性改善(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- CLEO/IQEC '98報告
- CLEO/IQEC '98報告
- CLEO/IQEC '98報告
- CLEO/IQEC '98報告
- C-4-30 二つのVCSELメサを用いた受動モード同期レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-31 VCSELを用いた小型アクティブモード同期レーザモジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 外部凹面鏡を用いた能動モード同期VCSELの高繰り返し周波数・低閾値電流動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 外部凹面鏡を用いた能動モード同期VCSELの高繰り返し周波数・低閾値電流動作(OCS20周年記念,超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- C-4-10 VCSELと凹面鏡を用いた31GHzアクティブモード同期(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-28 凹面鏡による二重共振経路を用いたモード同期VCSEL(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-88 小コア光導波路によるLSI間高密度光接続の研究(光インターコネクション(2)・ファイバグレーティング,C-3. 光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-20 凹面鏡を用いた複合共振器VCSELによる10GHzモード同期(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-2 金属埋め込み微小メサ構造を用いた面発光レーザの発振特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-28 微小メサ構造を用いた面発光レーザの直接変調特性改善(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- GaInAsSbカバー層を有するInAs量子ドットの面発光型デバイス応用に向けた面内偏光特性の検討(ナノ光技術・電子技術,次世代ナノテクノロジー論文)
- GaInAs系トンネル注入レーザにおける発振特性のトンネル注入構造依存性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- GaAs上長波長帯レーザのためのGaInAsSb系量子ドットのMBE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 26aE05 GaInAs量子ドットへのSb添加効果(ナノエピシンポジウム,第34回結晶成長国内会議)
- 全光イコライゼーションによる高速光変調の検討(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの長波長化に関する検討
- 1.3μm GaInNAs/GaAs面発光レーザの構造設計
- マイクロマシン構造を用いた面発光レーザの波長温度係数制御(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- C-4-34 凹面鏡とVCSELを用いた二往復共振器モード同期レーザにおける位置ずれトレランス解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 1.2μm帯GaInAs/GaAs高密度面発光レーザアレイの波長制御(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- 多波長面発光レーザアレイ
- OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性
- OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性
- (311)B基板上に形成したInGaAs/GaAs面発光レーザにおける高速変調時の偏波特性
- 小さな波長温度係数を有するマイクロマシン面発光レーザ及び共振型フォトディテクタ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 小さな波長温度係数を有するマイクロマシン面発光レーザ及び共振型フォトディテクタ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 小さな波長温度係数を有するマイクロマシン面発光レーザ及び共振型フォトディテクタ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 小さな波長温度係数を有するマイクロマシン面発光レーザ及び共振型フォトディテクタ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 可飽和吸収体を有する垂直微小共振器構造を用いた光非線形位相補償デバイス(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 可飽和吸収体を有する垂直微小共振器構造を用いた光非線形位相補償デバイス(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- SC-2-6 多波長面発光レーザアレイ
- C-4-1 単一高次横モード面発光レーザの遠視野制御
- MOCVD成長1.3um帯GaInNAs面発光レーザ
- (311)B基板上GaInAs/GaAs完全単一モード面発光レーザアレー
- 微小共振器面発光レーザによる近接場光生成
- マイクロマシーン技術を用いた温度無依存面型光フィルタ
- マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
- マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
- マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
- C-4-13 近接場光生成のための金属微小開口面発光レーザの製作
- 面発光レーザーの研究開発と進展
- GaN系青色面発光レーザ用共振器の形成と評価(紫外発光材料の現状と将来)
- GaN系青色面発光レーザ用共振器の形成と評価 : 紫外線発光の現状と将来シンポジウム
- マイクロオプティカルベンチによる2次元並列光インタコネクトモジュール構成法
- 微小コーナ反射鏡の有限要素法解析とその光デバイスへの応用
- 半導体光増幅器を用いたスペクトルスライス光の雑音抑圧
- C-4-29 横方向量子構造混晶化による面発光レーザの特性向上(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- OECC2010報告 : アクティブデバイス・モジュール関連(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- OECC2010報告 : アクティブデバイス・モジュール関連(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- OECC2010報告 : アクティブデバイス・モジュール関連(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- OECC2010報告 : アクティブデバイス・モジュール関連(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 面発光レーザとスローライト光デバイスの新しい集積構造の提案(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-4-8 中空導波路集積型DBRレーザのアサーマル動作の基礎検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 面発光レーザとスローライト光デバイスの新しい集積構造の提案(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 面発光レーザとスローライト光デバイスの新しい集積構造の提案(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 面発光レーザとスローライト光デバイスの新しい集積構造の提案(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- AlAs選択酸化を利用する極微構造InGaAs/GaAs面発光レーザに関する基礎的検討
- (311)A面GaAs基板上面発光レーザの出力偏波特性
- (311)A面InGaAs/GaAs歪量子井戸面発光レーザの発振特性
- Modelling of VCSELs Including Carrier Diffusion and Diffraction Losses
- (311)A面上面発光レーザの発振特性一偏波制御と低しきい値化の実現一
- 極微構造 InGaAs/GaAs 面発光レーザの低しきい値動作
- 極微InGaAs/GaAs面発光レーザの低しきい値化
- MOCVD成長InGaAs/GaAs面発光レーザの低しきい値動作
- テーパー中空導波路を用いた多波長面発光レーザアレイの合波器の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- テーパー中空導波路を用いた多波長面発光レーザアレイの合波器の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- C-3-69 多波長面発光レーザアレイと集積可能な小型光合波器の検討(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-27 スローライト光導波路における挿入損失の偏光依存性(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- スローライトを利用した反射型光スイッチの小型化(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- スローライトを利用した反射型光スイッチの小型化(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- スローライトを利用した反射型光スイッチの小型化(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- スローライトを利用した反射型光スイッチの小型化(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 外部凹面鏡を用いた能動モード同期VCSELの高繰り返し周波数・低閾値電流動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- GaN系面発光レーザの設計と製作技術に関する基礎検討 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- 高分子導波路内での回折効果を利用した1×N光分岐素子
- CS-4-3 中空光導波路を用いた広帯域・波長可変光デバイス(CS-4.広帯域・波長可変光デバイスの最新動向とその応用,シンポジウム)
- 1.2μm帯GaInAs/GaAsレーザを用いた単一モード光ファイバ伝送
- 1.2μm帯高歪GaInAs/GaAsレーザーと単一モード光ファイバLANへの適用可能性
- 1.2μm帯高歪GaInAs/GaAsレーザーと単一モード光ファイバLANへの適用可能性
- 極微開口部を有する半導体微小光分岐回路
- 垂直多重反射鏡を有する短共振器半導体レーザ
- C-3-23 中空光導波路による凹面回折格子型光分波回路
- ヴァイオリン演奏時の把持力推定に関する研究
- ストックホルムの音楽博物館(音の博物館)
- C-3-100 レンズ集積による面発光レーザ出力ビームの集束(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- GaAs/GaAlAs系面発光レーザにおけるAlAs選択酸化プロセスの改良と単一モード発振特性
- C-4-12 凹面鏡を用いた二往復共振器受動モード同期VCSELの動作特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-41 スローライトを利用した交差角30度の小型光スイッチ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 固体ソースドライエッチング
- マイクロマシン構造を用いた面発光レーザの波長制御(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-3-43 スローライトを利用した小型光スイッチの動特性評価(光スイッチ,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- MEMS技術を用いた面発光レーザの波長温度係数の増大と波長可変動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- MEMS技術を用いた面発光レーザの波長温度係数の増大と波長可変動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- MEMS技術を用いた面発光レーザの波長温度係数の増大と波長可変動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- MEMS技術を用いた面発光レーザの波長温度係数の増大と波長可変動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)