C-4-2 金属埋め込み微小メサ構造を用いた面発光レーザの発振特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-03-07
著者
-
城岸 直輝
東京工業大学 精密工学研究所
-
松谷 晃宏
東京工業大学 精密工学研究所
-
宮本 智之
東京工業大学 精密工学研究所
-
小林 功郎
東京工業大学 精密工学研究所
-
小林 功郎
東京工業大学精密工学研究所
-
小林 功郎
東京工業大学
-
田中 紳公
東京工業大学精密工学研究所
-
内田 武志
東京工業大学精密工学研究所
-
宮本 智之
東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター
-
城岸 直輝
東京工業大学精密工学研究所
-
宮本 智之
東京工業大学
-
松谷 晃宏
東京工業大学
関連論文
- 微小メサ構造を用いた面発光レーザの直接変調特性改善(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-30 二つのVCSELメサを用いた受動モード同期レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-31 VCSELを用いた小型アクティブモード同期レーザモジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 外部凹面鏡を用いた能動モード同期VCSELの高繰り返し周波数・低閾値電流動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 外部凹面鏡を用いた能動モード同期VCSELの高繰り返し周波数・低閾値電流動作(OCS20周年記念,超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- C-4-10 VCSELと凹面鏡を用いた31GHzアクティブモード同期(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-28 凹面鏡による二重共振経路を用いたモード同期VCSEL(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-88 小コア光導波路によるLSI間高密度光接続の研究(光インターコネクション(2)・ファイバグレーティング,C-3. 光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-20 凹面鏡を用いた複合共振器VCSELによる10GHzモード同期(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-2 金属埋め込み微小メサ構造を用いた面発光レーザの発振特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-28 微小メサ構造を用いた面発光レーザの直接変調特性改善(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- GaInAsSbカバー層を有するInAs量子ドットの面発光型デバイス応用に向けた面内偏光特性の検討(ナノ光技術・電子技術,次世代ナノテクノロジー論文)
- GaInAs系トンネル注入レーザにおける発振特性のトンネル注入構造依存性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- GaAs上長波長帯レーザのためのGaInAsSb系量子ドットのMBE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 26aE05 GaInAs量子ドットへのSb添加効果(ナノエピシンポジウム,第34回結晶成長国内会議)
- GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの長波長化に関する検討
- 1.3μm GaInNAs/GaAs面発光レーザの構造設計
- メサ側面から量子構造混晶化を適用した面発光レーザの製作と評価(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- マイクロマシン構造を用いた面発光レーザの波長温度係数制御(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- C-4-34 凹面鏡とVCSELを用いた二往復共振器モード同期レーザにおける位置ずれトレランス解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-23 数値解析によるトンネル注入SOAの動特性の構造依存性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- トンネル注入SOAの数値解析による動作メカニズムとデバイス特性の解明
- 1.2μm帯GaInAs/GaAs高密度面発光レーザアレイの波長制御(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性
- OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性
- 小さな波長温度係数を有するマイクロマシン面発光レーザ及び共振型フォトディテクタ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 小さな波長温度係数を有するマイクロマシン面発光レーザ及び共振型フォトディテクタ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 小さな波長温度係数を有するマイクロマシン面発光レーザ及び共振型フォトディテクタ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 小さな波長温度係数を有するマイクロマシン面発光レーザ及び共振型フォトディテクタ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- SC-2-6 多波長面発光レーザアレイ
- MOCVD成長1.3um帯GaInNAs面発光レーザ
- (311)B基板上GaInAs/GaAs完全単一モード面発光レーザアレー
- 微小共振器面発光レーザによる近接場光生成
- マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
- マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
- マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
- C-4-13 近接場光生成のための金属微小開口面発光レーザの製作
- メサ側面から量子構造混晶化を適用した面発光レーザの製作と評価(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- メサ側面から量子構造混晶化を適用した面発光レーザの製作と評価(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- メサ側面から量子構造混晶化を適用した面発光レーザの製作と評価(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-4-29 横方向量子構造混晶化による面発光レーザの特性向上(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- トンネル注入SOAの数値解析による動作メカニズムとデバイス特性の解明(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- トンネル注入SOAの数値解析による動作メカニズムとデバイス特性の解明(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- トンネル注入SOAの数値解析による動作メカニズムとデバイス特性の解明(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- AlAs選択酸化を利用する極微構造InGaAs/GaAs面発光レーザに関する基礎的検討
- 極微構造 InGaAs/GaAs 面発光レーザの低しきい値動作
- 極微InGaAs/GaAs面発光レーザの低しきい値化
- MOCVD成長InGaAs/GaAs面発光レーザの低しきい値動作
- 化学ビーム成長(CBE)法によるGaInAsP/InP結晶成長と面発光レーザへの応用
- テーパー中空導波路を用いた多波長面発光レーザアレイの合波器の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- テーパー中空導波路を用いた多波長面発光レーザアレイの合波器の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- ポスター発表報告
- C-3-69 多波長面発光レーザアレイと集積可能な小型光合波器の検討(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-27 スローライト光導波路における挿入損失の偏光依存性(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- スローライトを利用した反射型光スイッチの小型化(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- スローライトを利用した反射型光スイッチの小型化(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- スローライトを利用した反射型光スイッチの小型化(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- スローライトを利用した反射型光スイッチの小型化(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 外部凹面鏡を用いた能動モード同期VCSELの高繰り返し周波数・低閾値電流動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- GaN系面発光レーザの設計と製作技術に関する基礎検討 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- 高分子導波路内での回折効果を利用した1×N光分岐素子
- VCSEL技術の現状と課題
- トンネル注入量子井戸レーザにおけるキャリア注入確率と再結合確率の解析(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- GaInAs系トンネル注入レーザにおける発振特性のトンネル注入構造依存性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- GaAs上長波長帯レーザのためのGaInAsSb系量子ドットのMBE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- GaAs上長波長帯レーザのためのGaInAsSb系量子ドットのMBE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- SC-2-1 面発光レーザの最近の技術動向
- 「面発光半導体レーザーとその応用」解説小特集に寄せて
- 長波長帯半導体レーザの新しい材料 : 面発光レーザへの展開
- RFラジカルセルを用いた化学ビーム成長法によるGaInNAs/GaAs量子井戸構造の成長
- CS-4-3 中空光導波路を用いた広帯域・波長可変光デバイス(CS-4.広帯域・波長可変光デバイスの最新動向とその応用,シンポジウム)
- 1.2μm帯GaInAs/GaAsレーザを用いた単一モード光ファイバ伝送
- 1.2μm帯高歪GaInAs/GaAsレーザーと単一モード光ファイバLANへの適用可能性
- 1.2μm帯高歪GaInAs/GaAsレーザーと単一モード光ファイバLANへの適用可能性
- 極微開口部を有する半導体微小光分岐回路
- 5-1 面発光レーザとその波長域拡大・高性能化(5.先端半導体レーザの現状と展望,進化する先端フォトニックデバイス)
- GaAs 基板上レーザーの1.3μmを超える長波長化の検討
- 垂直多重反射鏡を有する短共振器半導体レーザ
- GaInAs/GaAs歪量子井戸の波長域拡大と高速光リンク用半導体レーザへの展開
- C-3-23 中空光導波路による凹面回折格子型光分波回路
- ヴァイオリン演奏時の把持力推定に関する研究
- ストックホルムの音楽博物館(音の博物館)
- C-3-100 レンズ集積による面発光レーザ出力ビームの集束(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- GaAs/GaAlAs系面発光レーザにおけるAlAs選択酸化プロセスの改良と単一モード発振特性
- C-4-12 凹面鏡を用いた二往復共振器受動モード同期VCSELの動作特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-16 Well-in-Well構造による高速直接変調量子井戸レーザの検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 化学ビーム成長法によるGaInNAs/GaAsの成長と長波長帯面発光レーザへの応用
- C-3-41 スローライトを利用した交差角30度の小型光スイッチ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- トンネル注入SOAの数値解析による動作メカニズムとデバイス特性の解明
- 固体ソースドライエッチング
- マイクロマシン構造を用いた面発光レーザの波長制御(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-3-43 スローライトを利用した小型光スイッチの動特性評価(光スイッチ,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- MEMS技術を用いた面発光レーザの波長温度係数の増大と波長可変動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- MEMS技術を用いた面発光レーザの波長温度係数の増大と波長可変動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- MEMS技術を用いた面発光レーザの波長温度係数の増大と波長可変動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- MEMS技術を用いた面発光レーザの波長温度係数の増大と波長可変動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- NUSOD2011会議報告