MOCVD成長1.3um帯GaInNAs面発光レーザ
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概要
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高性能長波長帯面発光レーザの材料として極めて有望である新材料GaInNAsに関し、有機金属気相成長法(MOCVD)による1.3μm帯GaInNAs/GaAs面発光レーザ(VCSEL)の室温連続発振を初めて実現した。酸化膜アパーチャーサイズ10×10μm^2の素子の閾値電流、電圧はそれぞれ7.6mA、2.8Vであった。光出力は0.1mWを超え、スロープ効率は約0.1W/Aであった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-02-14
著者
-
松谷 晃宏
東京工業大学 精密工学研究所
-
宮本 智之
東京工業大学 精密工学研究所
-
荒井 昌和
東京工業大学精密工学研究所マイクロンステム研究センター
-
西山 伸彦
東京工業大学 精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所
-
宮本 智之
東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター
-
伊賀 健一
東京工業大学精密工学研究所
-
高橋 孝志
(株)リコー研究開発本部中央研究所
-
西山 伸彦
Corning Incorporated
-
西山 伸彦
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
佐藤 俊一
(株)リコー 研究開発本部中央研究所
-
軸谷 直人
(株)リコー 研究開発本部中央研究所
-
伊賀 健一
東工大精研
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
小山 二三夫
東京工業大学
-
伊賀 健一
東京工業大学
-
軸谷 直人
(株)リコー研究開発本部中央研究所
-
佐藤 俊一
(株)リコー研究開発本部中央研究所
-
宮本 智之
東京工業大学
-
松谷 晃宏
東京工業大学
-
佐藤 俊一
(株)リコー 研究開発本部 東北研究所
-
軸谷 直人
(株)リコー 研究開発本部 東北研究所
-
西山 伸彦
東京工業大学
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