軸谷 直人 | (株)リコー研究開発本部中央研究所
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概要
関連著者
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軸谷 直人
(株)リコー研究開発本部中央研究所
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原 敬
(株)リコー研究開発本部中央研究所
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軸谷 直人
(株)リコー 研究開発本部中央研究所
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佐藤 俊一
(株)リコー研究開発本部中央研究所
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佐藤 俊一
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(株)リコー研究開発本部中央研究所
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(株)リコー 研究開発本部 東北研究所
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伊藤 彰浩
(株)リコー 研究開発本部 東北研究所
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伊藤 彰浩
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庄子 浩義
(株)リコー 研究開発本部 東北研究所
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本村 寛
(株)リコー 研究開発本部 東北研究所
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原坂 和宏
(株)リコー 研究開発本部 東北研究所
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菅原 悟
(株)リコー 研究開発本部 東北研究所
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原坂 和宏
株式会社リコー研究開発本部東北研究所
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佐藤 俊一
(株)リコー 研究開発本部中央研究所
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高橋 孝志
(株)リコー研究開発本部中央研究所
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佐藤 史朗
(株)リコー研究開発本部中央研究所
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松谷 晃宏
東京工業大学 精密工学研究所
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宮本 智之
東京工業大学 精密工学研究所
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荒井 昌和
東京工業大学精密工学研究所マイクロンステム研究センター
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西山 伸彦
東京工業大学 精密工学研究所
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小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所
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宮本 智之
東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター
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伊賀 健一
東京工業大学精密工学研究所
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西山 伸彦
Corning Incorporated
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西山 伸彦
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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伊賀 健一
東工大精研
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小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
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小山 二三夫
東京工業大学
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伊賀 健一
東京工業大学
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菅原 悟
(株)リコー東北研究所
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宮本 智之
東京工業大学
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松谷 晃宏
東京工業大学
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西山 伸彦
東京工業大学
著作論文
- MOCVD成長1.3um帯GaInNAs面発光レーザ
- MOCVD法によるAl混晶上の高品質III-VN混晶(GaInNAs,GaInNP)成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- MOCVD法によるAl混晶上の高品質III-VN混晶(GaInNAs,GaInNP)成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- MOCVD法によるAl混晶上の高品質III-VN混晶(GaInNAs,GaInNP)成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- プリンタ用780nm帯40ch光書き込みVCSELアレイの開発
- プリンタ用780nm帯40ch光書き込みVCSELアレイ
- プリンタ用780nm帯40ch光書き込みVCSELアレイ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- プリンタ用780nm帯40ch光書き込みVCSELアレイ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
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