伊賀 健一 | 東工大精研

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概要

• 同名の論文著者
• 東工大精研の論文著者

関連著者

• 伊賀 健一

  東工大精研

• 伊賀 健一

  東京工業大学

• 小山 二三夫

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 小山 二三夫

  東京工業大学

• 小山 二三夫

  東京工業大学精密工学研究所

• 伊賀 健一

  東京工業大学精密工学研究所

• 松谷 晃宏

  東京工業大学 精密工学研究所

• 荒井 昌和

  東京工業大学精密工学研究所マイクロンステム研究センター

• 西山 伸彦

  Corning Incorporated

• 松谷 晃宏

  東京工業大学

• 西山 伸彦

  東京工業大学 精密工学研究所

• 西山 伸彦

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 西山 伸彦

  東京工業大学

• 宮本 智之

  東京工業大学 精密工学研究所

• 品田 聡

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 伊賀 健一

  日本学術振興会

• 宮本 智之

  東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター

• 宮本 智之

  東京工業大学

• 本田 徹

  工学院大学大学院工学研究科

• 坂口 孝浩

  東京工業大学精密工学研究所

• 本田 徹

  工学院大学工学部

• 後藤 顕也

  東海大学開発工学部情報通信工学科

• 安土 宗近

  東京工業大学・マイクロシステム研究センター

• 伊賀 健一

  工学院大学電子工学科

• 川西 英雄

  工学院大学電子工学科

• 坂口 孝浩

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 後藤 顕也

  東海大

• 川西 英雄

  工学院大 工

• 川西 英雄

  工学院大学・工学部

• 安土 宗近

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 坂口 孝浩

  東京工業大学 精密工学研究所

• 小山 二三夫

  東京工業大学 精密工学研究所

• 坂口 孝浩

  東京工業大学

• 栗原 一真

  情報通信工学専攻

• 大和屋 武

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 近藤 崇

  東京工業大学

• 高橋 孝志

  (株)リコー研究開発本部中央研究所

• 佐藤 俊一

  (株)リコー 研究開発本部中央研究所

• 軸谷 直人

  (株)リコー 研究開発本部中央研究所

• 小山 二三夫

  東工大精研

• 西山 伸彦

  東工大精研

• 荒井 昌和

  東工大精研

• 伊賀 健一

  電子情報通信学会

• 青木 泰彦

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 島田 裕二

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 鈴木 耕一

  東京工業大学精密工学研究所

• 軸谷 直人

  (株)リコー研究開発本部中央研究所

• 金 泳珠

  東海大学開発工学部情報通信工学科

• 佐藤 俊一

  (株)リコー研究開発本部中央研究所

• 武内 健一郎

  東京工業大学・精密工学研究所

• 三木 聡

  情報通信工学専攻

• 三木 聡

  東海大学開発工学部(大学院開発工学研究科情報通信工学専攻)

• 栗原 一真

  東海大学開発工学部(大学院開発工学研究科情報通信工学専攻)

• 鈴木 和拓

  東海大学

• 鈴木 和拓

  東海大学開発工学部情報通信工学科

• 鈴木 和拓

  東海大 開発工

• 谷川 紘

  東工大精研

• 福与 人八

  東工大精研

• 倉持 内武

  東工大精研

• 佐藤 俊一

  (株)リコー 研究開発本部 東北研究所

• 軸谷 直人

  (株)リコー 研究開発本部 東北研究所

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著作論文

• SC-2-6 多波長面発光レーザアレイ
• MOCVD成長1.3um帯GaInNAs面発光レーザ
• (311)B基板上GaInAs/GaAs完全単一モード面発光レーザアレー
• AlAs選択酸化膜形成技術
• 微小共振器面発光レーザによる近接場光生成
• 末松安晴先生,平成15年度文化功労者に : 光通信とともに40年
• 新たな学術研究の振興
• 面発光レーザーの研究開発と進展
• GaN系青色面発光レーザ用共振器の形成と評価(紫外発光材料の現状と将来)
• GaN系青色面発光レーザ用共振器の形成と評価 : 紫外線発光の現状と将来シンポジウム
• 化合物原料MBE法によるGaN薄膜の製作と発光素子への応用(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 化合物原料MBE法によるGaN薄膜の製作と発光素子への応用(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• マイクロオプティカルベンチによる2次元並列光インタコネクトモジュール構成法
• 微小コーナ反射鏡の有限要素法解析とその光デバイスへの応用
• 半導体光増幅器を用いたスペクトルスライス光の雑音抑圧
• 稿転送速度, 高記録密度光ディスクヘッドの研究
• 長波長帯半導体レーザの新しい材料 : 面発光レーザへの展開
• GaAs/GaAlAs系面発光レーザにおけるAlAs選択酸化プロセスの改良と単一モード発振特性
• 原子発振器用ルビジウムランプ : 量子エレクトロニクス
• 21世紀の半導体レーザ (特集 21世紀の光技術)
• 21世紀のデバイス・材料--物質・材料科学の一断面 (特集 21世紀の学術研究への期待)
• 面発光レーザの進展 (光エレクトロニクス)
• 面発光レーザの進展 (レーザ・量子エレクトロニクス)
• 面発光レーザの進展(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 面発光レーザの進展(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」)

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