川西 英雄 | 工学院大学・工学部

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関連著者

• 川西 英雄

  工学院大学電子工学科

• 川西 英雄

  工学院大学・工学部

• 本田 徹

  工学院大学大学院工学研究科

• 本田 徹

  工学院大学工学部

• 川西 英雄

  工学院大 工

• 本田 徹

  工学院大学

• 江川 慎一

  工学院大学工学部電子工学科

• 小林 俊章

  工学院大学工学部電子工学科

• 馬場 太一

  工学院大学工学部電子工学科

• 秋山 誠和子

  工学院大学工学部電子工学科

• 長谷川 文夫

  工学院大学大学院電気・電子工学専攻

• 長谷川 文夫

  工学院大学工学部電子工学科

• 長谷川 文夫

  工学院大学 工学部 電子工学科

• 新倉 栄一郎

  工学院大学・工学部

• 杉本 浩一

  工学院大学工学部電子工学科

• 伊賀 健一

  東京工業大学

• 安斉 秀晃

  工学院大学・工学部

• 瀬沼 正憲

  工学院大学工学部電子工学科

• 貫井 猛晶

  工学院大学工学部電子工学科

• 平山 航史

  工学院大学工学部電子工学科

• 蓮沼 範行

  工学院大学工学部電子工学科

• 青木 陽太

  工学院大学大学院電気・電子工学専攻

• 武田 智仁

  工学院大学・工学部

• 貫井 猛晶

  工学院大学・工学部

• 瀬沼 正憲

  工学院大学・工学部

• 伊賀 健一

  東工大精研

• 伊賀 健一

  工学院大学電子工学科

• 栗本 誠

  工学院大学工学部電子工学科

• 鍔本 美恵子

  工学院大学工学部電子工学科

• 久我 裕一郎

  工学院大学工学部電子工学科

• 井上 彰

  東京工業大学精密工学研究所

• 松谷 晃宏

  東京工業大学 精密工学研究所

• 小山 二三夫

  東京工業大学精密工学研究所

• 坂口 孝浩

  東京工業大学精密工学研究所

• 伊賀 健一

  東京工業大学精密工学研究所

• 高野 隆好

  松下電工(株)新規商品創出技術開発部

• 白澤 智恵

  東京工業大学精密工学研究所

• 小山 二三夫

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 小山 二三夫

  東京工業大学

• 山本 真魚

  工学院大学・工学部

• 竹田 翔一郎

  工学院大学・工学部

• 持田 宣晃

  東京工業大学精密工学研究所

• 松谷 晃宏

  東京工業大学

• 坂口 孝浩

  東京工業大学 精密工学研究所

• 坂口 孝浩

  東京工業大学

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著作論文

• 化合物原料MBE法によるGaN薄膜の製作と発光素子への応用(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 化合物原料MBE法によるGaN薄膜の製作と発光素子への応用(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• GaN微結晶を用いた紫外EL素子製作の検討(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• GaN微結晶を用いた紫外EL素子製作の検討(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• GaN微結晶を用いた紫外EL素子製作の検討(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 光励起によるAlGaN多重量子井戸型深紫外レーザーの発振特性 : 発振波長域240-360nm
• 化合物原料分子線堆積法によるAlN薄膜の低温堆積(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 化合物原料分子線堆積法によるAlN薄膜の低温堆積(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 化合物原料分子線堆積法によるAlN薄膜の低温堆積(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• Si基板上低温堆積GaN薄膜の紫外EL素子への応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 深紫外・紫外域半導体発光デバイスのためのAlNテンプレートの高品質化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 深紫外・紫外域半導体発光デバイスのためのAlNテンプレートの高品質化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 深紫外・紫外域半導体発光デバイスのためのAlNテンプレートの高品質化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• AlGaN多重量子井戸型レーザの深紫外発振と光学異方特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• AlGaN多重量子井戸型レーザの深紫外発振と光学異方特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• AlGaN多重量子井戸型レーザの深紫外発振と光学異方特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• CS-4-3 AlGaN多重量子井戸型レーザの深紫外域レーザ発振と光学異方特性 : 深紫外レーザ発振波長のどこから偏波特性は変わるのか?(CS-4.窒化物/ワイドバンドギャップ光半導体とその応用の新展開,シンポジウム)
• 深紫外AlGaN多重量子井戸型半導体レーザー光の光学的異方特性
• Si基板上低温堆積GaN薄膜の紫外EL素子への応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• Si基板上低温堆積GaN薄膜の紫外EL素子への応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• CS-MBE法によるAl基板上低温堆積GaN薄膜の製作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• CS-MBE法によるAl基板上低温堆積GaN薄膜の製作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• CS-MBE法によるAl基板上低温堆積GaN薄膜の製作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• BGaN系紫外レーザの基礎検討
• BGaN系紫外レーザの基礎検討
• GaN系面発光レーザの設計と製作技術に関する基礎検討 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)

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