Si基板上低温堆積GaN薄膜の紫外EL素子への応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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概要
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GaN結晶を(111)Si基板上に基板温度450℃て化合物原料分子線エピタキシ-(compound source molecular beam epitaxy CS-MBE)によって成長した 薄膜を反射高速電子線回折(reflection high-energy electron dlffraction RHEED),X線回折(x-ray diffraction XRD)によって評価した。RHEEDとXRDの結果からCS-MBEによって低温成長したGaN結晶はC軸に配向した六方晶のGaN結晶であることがわかった また,この低温成長GaNを用いてエレクトロルミネッセントデバイスを製作した パルス電圧によって駆動し紫色がかった青色の発光を確認した
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-10-15
著者
-
本田 徹
工学院大学大学院工学研究科
-
本田 徹
工学院大学工学部
-
川西 英雄
工学院大学電子工学科
-
青木 陽太
工学院大学大学院電気・電子工学専攻
-
長谷川 文夫
工学院大学大学院電気・電子工学専攻
-
川西 英雄
工学院大 工
-
川西 英雄
工学院大学・工学部
-
長谷川 文夫
工学院大学工学部電子工学科
-
長谷川 文夫
工学院大学 工学部 電子工学科
-
本田 徹
工学院大学
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