CS-MBD法によるGaN薄膜の製作におけるパルス状原料供給(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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パルス状原料供給を行った化合物原料分子線堆積(CS-MBD)法を用いてGaN薄膜の製作を行った.パルス状原料供給により,堆積中にインターバル時間を導入することでGaN薄膜中の余剰なGaが減少した.インターバル時間を増加することによって,GaN薄膜中の余剰なGaが減少した.カソードルミネッセンス(CL)測定の結果より,薄膜中の余剰なGaが減少するにしたがって発光強度が上昇した.また,堆積したGaN薄膜を発光層に用いた薄膜型エレクトロルミネッセントデバイス(TF-ELDs)の製作を行った.このTF-ELDより,390nm付近にピークを有する近紫外発光が得られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-09-28
著者
-
本田 徹
工学院大学大学院工学研究科
-
本田 徹
工学院大学工学部
-
杉本 浩一
工学院大学工学部電子工学科
-
澤田 勝
工学院大学工学部電子工学科
-
新井 雅俊
工学院大学工学部電子工学科
-
江川 慎一
工学院大学工学部電子工学科
-
馬場 太一
工学院大学工学部電子工学科
-
本田 徹
工学院大学
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