化合物原料MBE法によるGaN薄膜の製作と発光素子への応用(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
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概要
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大面積青色・紫外ディスプレイデバイスの実現には,ガラス等を基板として用いた発光層の堆積が必要となる.本研究では,ガラス基板上に低温堆積した窒化ガリウム(GaN)を用いたエレクトロルミネッセンス素子(ELD)を提案し,その発光特性とELDデバイスヘの応用の可能性について検討した.その結果,低温堆積方法に化合物原料分子線エピタキシャル成長法(CS-MBE法)を採用し,堆積したGaN薄膜は,室温において紫外に発光端を持つホトルミネッセンスを示した.また,低温堆積(450℃)GaN薄膜を用いて製作したELDは紫外成分を含むことがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-06
著者
-
本田 徹
工学院大学大学院工学研究科
-
本田 徹
工学院大学工学部
-
伊賀 健一
東工大精研
-
伊賀 健一
東京工業大学
-
伊賀 健一
工学院大学電子工学科
-
川西 英雄
工学院大学電子工学科
-
川西 英雄
工学院大 工
-
川西 英雄
工学院大学・工学部
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