C-3-100 面発光レーザアレーを用いる2次元コリメート光源モジュールの検討
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-09-07
著者
-
伊賀 健一
東京工業大学精密工学研究所
-
伊賀 健一
東京工業大学
-
青木 泰彦
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
島田 裕二
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
関連論文
- GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの長波長化に関する検討
- 1.3μm GaInNAs/GaAs面発光レーザの構造設計
- OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性
- OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性
- (311)B基板上に形成したInGaAs/GaAs面発光レーザにおける高速変調時の偏波特性
- SC-2-6 多波長面発光レーザアレイ
- MOCVD成長1.3um帯GaInNAs面発光レーザ
- (311)B基板上GaInAs/GaAs完全単一モード面発光レーザアレー
- 微小共振器面発光レーザによる近接場光生成
- マイクロマシーン技術を用いた温度無依存面型光フィルタ
- マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
- マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
- マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
- C-4-13 近接場光生成のための金属微小開口面発光レーザの製作
- 2. 2025年の電子情報通信 : 20年前の芽は今(未来への手紙)
- マイクロオプティカルベンチによる2次元並列光インタコネクトモジュール構成法
- 微小コーナ反射鏡の有限要素法解析とその光デバイスへの応用
- 半導体光増幅器を用いたスペクトルスライス光の雑音抑圧
- C-3-101 光インターコネクト用平板マイクロレンズの実効開口数評価
- C-3-100 面発光レーザアレーを用いる2次元コリメート光源モジュールの検討
- 面発光レーザを用いる3次元光インターコネクト構成法の検討
- C-3-6 3次元積層光回路による波長多重並列光インターコネクト
- マイクロオプティカルベンチ(MOB)を用いた積層光学回路型双方向光モジュール
- C-3-17 マイクロオプティカルベンチ(MOB)上への面発光レーザアレー実装の基礎検討
- 積層光学型光パワースプリッター
- マイクロオプティカルベンチ(MOB)を用いた2次元アレー型光デバイスの光軸無調整実装
- マイクロオプティカルベンチ(MOB)を用いた2-D光モジュールの基礎検討
- マイクロオプティカルベンチ(MOB)を用いた光結合モジュールの一検討
- 平板マイクロレンズアレーを用いた光加入者線ネットワークユニットの基礎検討
- 半導体光集積回路
- AlAs選択酸化を利用する極微構造InGaAs/GaAs面発光レーザに関する基礎的検討
- (311)A面GaAs基板上面発光レーザの出力偏波特性
- (311)A面InGaAs/GaAs歪量子井戸面発光レーザの発振特性
- Modelling of VCSELs Including Carrier Diffusion and Diffraction Losses
- (311)A面上面発光レーザの発振特性一偏波制御と低しきい値化の実現一
- 極微構造 InGaAs/GaAs 面発光レーザの低しきい値動作
- 極微InGaAs/GaAs面発光レーザの低しきい値化
- MOCVD成長InGaAs/GaAs面発光レーザの低しきい値動作
- 金属/半導体偏光子を用いた面発光レーザの偏波制御
- 化学ビーム成長(CBE)法によるGaInAsP/InP結晶成長と面発光レーザへの応用
- 化学ビームエピタキシ(CBE)法による面発光レーザのためのGaInAs/InP膜厚の制御
- 光マイクロコネクタにおける反射戻り光
- もう一つの「ものつくり」
- エネルギーと原子力
- 武井武と独創の群像 : 生誕百年・フェライト発明七十年の光芒, 松尾博士(著), "武井武と独創の群像 : 生誕百年・フェライト発明七十年の光芒", 工業調査会(2000-02), A5版, 定価(本体2,300円+税)
- 面発光レーザ : その芽生え : ものを作るこころ(第10回)
- どの学会で育つか
- 平板マイクロレンズを用いた文字認識システム : 光ディテククを含むポストプロセッサー
- 光インターコネクト低消費電力化のためのVCSEL/受光器設計
- 低消費電力光インターコネクトに関する一検討
- ZnSe系緑色/青色面発光レーザの基礎設計
- 稿転送速度, 高記録密度光ディスクヘッドの研究
- 近接場光学応用テラバイト光ディスクの基礎研究(I) : 超微細光ビーム用光源の研究
- (311)基板上偏波制御面発光レーザ
- (311)A面InGaAs/GaAs歪量子井戸面発光レーザの偏波制御特性
- GaN系面発光レーザの設計と製作技術に関する基礎検討 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- 高分子導波路内での回折効果を利用した1×N光分岐素子
- GaN系面発光レーザの設計と製作技術に関する基礎検討
- GaN系面発光レーザの設計と製作技術に関する基礎検討
- 長波長帯半導体レーザの新しい材料 : 面発光レーザへの展開
- RFラジカルセルを用いた化学ビーム成長法によるGaInNAs/GaAs量子井戸構造の成長
- 低しきい値1.3μm帯GaInAsp/InP平たん円形埋込構造面発光レーザ
- 極微共振器面発光レーザにおける境界条件の違いによる自然放出と光出力の変化
- 極微共振器面発光レーザにおける境界条件の違いによる自然放出と光出力の変化
- 1.2μm帯GaInAs/GaAsレーザを用いた単一モード光ファイバ伝送
- 1.2μm帯高歪GaInAs/GaAsレーザーと単一モード光ファイバLANへの適用可能性
- 1.2μm帯高歪GaInAs/GaAsレーザーと単一モード光ファイバLANへの適用可能性
- 面発光レーザーによる近接場光生成
- C-3-166 MMI型多波長光源の提案と有限要素法によるキャビティーモードの解析
- 金属微小開口をもつ面発光レーザの近接場解析
- 金属微小開口をもつ面発光レーザの近接場解析
- 金属微小開口をもつ面発光レーザの近接場解析
- 金属微小開口をもつ面発光レｰザの近接場解析
- 金属微小開口をもつ面発光レーザの近接場解析
- 大規模InGaAsP/InP光分波器の微小化構成の検討
- 大規模InGaAsP/InP光分波器の微小化構成の検討
- 大規模InGaAsP/InP光分波器の微小化構成の検討
- 大規模InGaAsP/InP光分波器の微小化構成の検討
- 微小コーナ反射鏡の有限要素法解析とその光分波器への応用
- 広帯域SLDを用いた小型多波長光源の検討
- 有限要素法による微小コーナ反射鏡の反射率の解析
- 反射型半導体微小光分波器の帯域特性に関する考察
- 極微開口部を有する半導体微小光分岐回路
- C-4-11 GaAs(311)B基板上低しきい値InGaAs/GaAs面発光レーザ
- 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
- 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
- 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
- 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
- 大容量光ストレージのための面発半導体レーザ
- 導波路アレー型光素子を用いた光スイッチの構成
- 導波路アレー型光偏向素子を用いた1×N光スイッチの提案
- GaN系青色面発光レーザ構造の形成に関する基礎検討
- 垂直多重反射鏡を有する短共振器半導体レーザ
- 有限要素法を用いた長波系面発光レーザの連続動作温度解析
- プッチンマイクロコネクターIIによる自導光結合法(2) : 光マイクロコネクタの光結合損失の基礎検討
- マイクロレンズアレイを用いるパターン認識系の基礎的検討 : ポストプロセッサーの設計と製作
- GaInAs/GaAs歪量子井戸の波長域拡大と高速光リンク用半導体レーザへの展開
- GaAs/GaAlAs系面発光レーザにおけるAlAs選択酸化プロセスの改良と単一モード発振特性
- 多波長スペクトルスライス光源のための高出力SLDの特性解析と試作
- MOCVDによるGaAs(311)B基板上低しきい値偏波制御面発光レーザ