(311)B基板上に形成したInGaAs/GaAs面発光レーザにおける高速変調時の偏波特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
面発光レーザの偏波制御を目的として, GaAs(311)B基板上に波長0.98μm帯のInGaAs/GaAs面発光レーザを製作した. その面発光レーザを用いて, 2.5Gbits/s擬似ランダム信号による高速変調実験を行った. 発振偏波モードのみを選択的に受光したときにも, 偏波面の揺らぎによる誤り率の大きな劣化は認められず, 安定な偏波動作を実証した. また, 10Gbits/s変調時にもDC時とあまり変化がなく直交偏波抑圧比25dB以上あることを確認した. 次に活性領域の微小化を進め横モードを単一化したデバイスを製作し, 35dB以上の横モード抑圧比, 25dB以上の直交偏波抑圧比をもつ完全単一モード面発光レーザを傾斜基板を使い初めて実現した. このデバイスによる5GHzの正弦波変調実験を行い, 高速変調時においても35dBの横モード抑圧比と11dBの直交偏波抑圧比をもつことを示し, 高速変調時における直交偏波抑圧比劣化現象の存在を初めて指摘した.
- 1999-07-25
著者
-
品田 聡
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
荒井 昌和
東京工業大学精密工学研究所マイクロンステム研究センター
-
西山 伸彦
東京工業大学 精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所
-
伊賀 健一
東京工業大学精密工学研究所
-
西山 伸彦
Corning Incorporated
-
西山 伸彦
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
小山 二三夫
東京工業大学
-
伊賀 健一
東京工業大学
-
羽鳥 伸明
東京工業大学精密工学研究所
-
水谷 章成
東京工業大学精密工学研究所
-
西山 伸彦
東京工業大学
関連論文
- CLEO/QELS'99報告
- CLEO/IQEC '98報告
- CLEO/QELS'99報告
- CLEO/IQEC '98報告
- CLEO/QELS'99報告
- CLEO/IQEC '98報告
- CLEO/QELS'99報告
- CLEO/IQEC '98報告
- GaInAsSbカバー層を有するInAs量子ドットの面発光型デバイス応用に向けた面内偏光特性の検討(ナノ光技術・電子技術,次世代ナノテクノロジー論文)
- GaInAs系トンネル注入レーザにおける発振特性のトンネル注入構造依存性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- GaAs上長波長帯レーザのためのGaInAsSb系量子ドットのMBE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 26aE05 GaInAs量子ドットへのSb添加効果(ナノエピシンポジウム,第34回結晶成長国内会議)
- 全光イコライゼーションによる高速光変調の検討(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの長波長化に関する検討
- 1.3μm GaInNAs/GaAs面発光レーザの構造設計
- エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- マイクロマシン構造を用いた面発光レーザの波長温度係数制御(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- 半導体薄膜レーザ実現に向けた半絶縁性基板上GaInAsP薄膜への横注入型レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 1.2μm帯GaInAs/GaAs高密度面発光レーザアレイの波長制御(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- 多波長面発光レーザアレイ
- OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性
- OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性
- C-3-7 BCB埋め込みSiスロット導波路構造を用いた温度無依存波長フィルタ(導波路デバイス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- (311)B基板上に形成したInGaAs/GaAs面発光レーザにおける高速変調時の偏波特性
- 小さな波長温度係数を有するマイクロマシン面発光レーザ及び共振型フォトディテクタ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 小さな波長温度係数を有するマイクロマシン面発光レーザ及び共振型フォトディテクタ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 小さな波長温度係数を有するマイクロマシン面発光レーザ及び共振型フォトディテクタ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 小さな波長温度係数を有するマイクロマシン面発光レーザ及び共振型フォトディテクタ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 可飽和吸収体を有する垂直微小共振器構造を用いた光非線形位相補償デバイス(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 可飽和吸収体を有する垂直微小共振器構造を用いた光非線形位相補償デバイス(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- SC-2-6 多波長面発光レーザアレイ
- C-4-1 単一高次横モード面発光レーザの遠視野制御
- MOCVD成長1.3um帯GaInNAs面発光レーザ
- (311)B基板上GaInAs/GaAs完全単一モード面発光レーザアレー
- AlAs選択酸化膜形成技術
- 微小共振器面発光レーザによる近接場光生成
- マイクロマシーン技術を用いた温度無依存面型光フィルタ
- マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
- マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
- マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
- C-4-13 近接場光生成のための金属微小開口面発光レーザの製作
- 面発光レーザーの研究開発と進展
- GaN系青色面発光レーザ用共振器の形成と評価(紫外発光材料の現状と将来)
- GaN系青色面発光レーザ用共振器の形成と評価 : 紫外線発光の現状と将来シンポジウム
- マイクロオプティカルベンチによる2次元並列光インタコネクトモジュール構成法
- 微小コーナ反射鏡の有限要素法解析とその光デバイスへの応用
- 半導体光増幅器を用いたスペクトルスライス光の雑音抑圧
- SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- C-4-29 横方向量子構造混晶化による面発光レーザの特性向上(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-29 光注入同期による活性層分離型分布反射型レーザの変調帯域増大(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- OECC2010報告 : アクティブデバイス・モジュール関連(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- OECC2010報告 : アクティブデバイス・モジュール関連(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- OECC2010報告 : アクティブデバイス・モジュール関連(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- OECC2010報告 : アクティブデバイス・モジュール関連(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 面発光レーザとスローライト光デバイスの新しい集積構造の提案(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-4-8 中空導波路集積型DBRレーザのアサーマル動作の基礎検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 面発光レーザとスローライト光デバイスの新しい集積構造の提案(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3μm帯GaInNAsSb/GaAs VCSELのKファクタの検証(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 1.3μm帯GaInNAsSb/GaAs VCSELのKファクタの検証(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPべースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- C-4-34 細線状活性層を有する分布反射型レーザの反射戻り光耐性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-29 細線状活性層を有する分布反射型レーザの直接変調特性(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 50nm位相連続波長掃引可能なSi-MEMS可動ミラーを用いたInP系波長可変面発光レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 半絶縁性基板上GaInAsP/InP横注入薄膜コアレーザの室温連続動作(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- CI-2-4 シリコン基板上半導体レーザ・発光デバイスの現状(CI-2.シリコンフォトニクス:ビルディングブロック開発からアプリケーション構築へのステップアップ,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- テラヘルツ信号の光生成キャリアによる光信号からの直接変換(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-4-27 InP系長波長帯面発光レーザの現状(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 稿転送速度, 高記録密度光ディスクヘッドの研究
- 近接場光学応用テラバイト光ディスクの基礎研究(I) : 超微細光ビーム用光源の研究
- SC-6-4 面発光レーザの多波長集積化技術
- 面発光レーザーによる近接場光生成
- 金属微小開口をもつ面発光レーザの近接場解析
- 金属微小開口をもつ面発光レーザの近接場解析
- 金属微小開口をもつ面発光レーザの近接場解析
- 金属微小開口をもつ面発光レｰザの近接場解析
- 金属微小開口をもつ面発光レーザの近接場解析
- C-4-11 GaAs(311)B基板上低しきい値InGaAs/GaAs面発光レーザ
- 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
- 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
- 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
- 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
- 大容量光ストレージのための面発半導体レーザ
- MOCVDによるGaAs(311)B基板上低しきい値偏波制御面発光レーザ
- p型デルタドープInGaAs/GaAs量子井戸面発光レーザ
- MOCVDによるGaAs(311)B基板上低しきい値偏波制御面発光レーザ
- p形カーボンデルタドーピングを用いたInGaAs/GaAs歪み量子井戸レーザの性能向上
- p形カーボンデルタドーピングを用いたInGaAs/GaAs歪み量子井戸レーザの性能向上
- C-4-17 細線状活性層を有する分布反射型レーザの変調帯域拡大と10Gbit/s低消費電力動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- CI-1-6 多層光回路構造実現のための異種基板積層技術とデバイス特性(CI-1.ナノフォトニクス技術のアクションアイテムズ,依頼シンポジウム,シンポジウムセッション)
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期