半絶縁性基板上GaInAsP/InP横注入薄膜コアレーザの室温連続動作(半導体レーザ関連技術,及び一般)
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概要
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半導体薄膜導波路構造を用いるレーザは、高屈折率差に起因した強い光閉じ込めによる利得増大効果が得られるため、短共振器構造化および極低しきい値電流動作が期待されている。半導体薄膜レーザの電流注入動作化を目的として、半絶縁性基板上に薄膜GaInAsP層および横方向p-i-n接合を再成長することによりレーザ発振が得られたが、薄膜半導体薄膜構造の高性能レーザを実現するには特性が不十分であった。今回、構造および作製プロセスを再検討し、内部量子効率向上およびそれに伴うしきい値電流密度低減と微分量子効率改善を実現した。ストライプ幅1.7μm、共振器長720μmの素子において、室温連続動作下のしきい値電流11mA およびしきい値電流密度0.9k/cm^2が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-12-04
著者
-
西山 伸彦
東京工業大学 精密工学研究所
-
荒井 滋久
東京工業大学
-
奥村 忠嗣
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
近藤 大介
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
伊藤 瞳
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
-
荒井 滋久
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
西山 伸彦
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
西山 伸彦
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
-
奥村 忠嗣
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学電気電子工学専攻
-
奥村 忠嗣
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻
-
近藤 大介
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻
-
荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
近藤 大介
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻
-
奥村 忠嗣
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻
-
伊藤 瞳
東京工業大学電気電子工学専攻
-
荒井 滋久
東京工業大学電気電子工学専攻:東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
西山 伸彦
東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻
-
西山 伸彦
東京工業大学
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