奥村 忠嗣 | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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概要
関連著者
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荒井 滋久
東京工業大学
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奥村 忠嗣
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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奥村 忠嗣
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻
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荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
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荒井 滋久
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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奥村 忠嗣
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学電気電子工学専攻
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奥村 忠嗣
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻
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荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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丸山 武男
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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西山 伸彦
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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丸山 武男
金沢大学大学院自然科学研究科
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丸山 武男
金沢大学理工研究域
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西山 伸彦
東京工業大学
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西山 伸彦
東京工業大学 精密工学研究所
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西山 伸彦
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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阪本 真一
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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米澤 英徳
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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近藤 大介
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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伊藤 瞳
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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内藤 秀幸
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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大竹 守
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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米澤 英徳
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学電気電子工学専攻
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近藤 大介
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻
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近藤 大介
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻
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伊藤 瞳
東京工業大学電気電子工学専攻
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西山 伸彦
東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻
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黒川 宗高
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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白尾 瑞基
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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黒川 宗高
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学電気電子工学専攻
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西本 頼史
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
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荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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白尾 瑞基
東京工業大学電気電子工学専攻
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白尾 端基
東京工業大学電気電子工学専攻
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白尾 瑞基
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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白尾 瑞基
東京工業大学 理工学研究科電気電子工学専攻
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荒井 滋久
東京工業大学電気電子工学専攻:東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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西山 伸彦
東京工業大学電気電子工学専攻
著作論文
- エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- 半導体薄膜レーザ実現に向けた半絶縁性基板上GaInAsP薄膜への横注入型レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- CK-1-8 シリコン上レーザ実現への展望(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
- CK-1-8 シリコン上レーザ実現への展望(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
- 直接貼り付け法によるSOI基板上GaInAsP/InP半導体薄膜レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 半絶縁性基板上GaInAsP/InP横注入薄膜コアレーザの室温連続動作(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ