半導体薄膜レーザ実現に向けた半絶縁性基板上GaInAsP薄膜への横注入型レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
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概要
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半導体薄膜導波路構造を用いるレーザは、高屈折率差に起因した強い光閉じ込めによるモード利得増大効果が得られるため、端面放射形レーザの低消費電力動作が期待されている。今回、半導体薄膜レーザの電流注入動作化を目的として半絶縁性基板上に薄膜GaInAsP層および横方向p-i-n接合を再成長し、ファブリペロー共振器レーザを試作した結果、室温パルス条件下で電流注入発振が得られたのでご報告する。ストライプ幅5.4μm、共振器長1470μmの素子においてしきい値電流105mA、しきい値電流密度13kA/cm^2が得られた。ストライプ幅が広いため高次横モードで動作した。基本横モード動作および横方向電流注入効率の向上を目指し、ストライプ幅2.0μm、共振器長805μmの素子を試作した結果、しきい値電流49mA(しきい値電流密度3.0kA/cm^2)で基本横モード動作が得られた。さらに、横方向電流注入型半導体薄膜レーザの電流注入効率及び規格化抵抗のストライプ幅依存性を理論的に検討した。
- 2008-12-05
著者
-
西山 伸彦
東京工業大学 精密工学研究所
-
荒井 滋久
東京工業大学
-
奥村 忠嗣
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
黒川 宗高
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
白尾 瑞基
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
近藤 大介
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
伊藤 瞳
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
-
荒井 滋久
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
西山 伸彦
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
西山 伸彦
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
-
黒川 宗高
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学電気電子工学専攻
-
奥村 忠嗣
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学電気電子工学専攻
-
奥村 忠嗣
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻
-
近藤 大介
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻
-
白尾 瑞基
東京工業大学電気電子工学専攻
-
荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
近藤 大介
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻
-
奥村 忠嗣
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻
-
伊藤 瞳
東京工業大学電気電子工学専攻
-
白尾 端基
東京工業大学電気電子工学専攻
-
白尾 瑞基
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
-
白尾 瑞基
東京工業大学 理工学研究科電気電子工学専攻
-
西山 伸彦
東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻
-
西山 伸彦
東京工業大学
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