GaInAsP/InP歪量子細線レーザの利得異方性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
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概要
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電子ビーム露光法とメタン・水素反応性イオンエッチング、及び有機金属気相成長法による埋め込み再成長を用いて、量子細線を共振器方向に平行および垂直に配置した歪補償量子細線レーザを作製した。室温パルス測定を行った結果、共振器方向に対して量子細線が平行に配置されているレーザの方が垂直に配置されているレーザよりしきい値電流が約2倍高い値を示した。そこで、両レーザをHakki-Paoli法を用いて利得を求めたところ、注入電流量による傾きが5倍大きいことから、この違いは、量子細線の利得異方性によるものであることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-17
著者
-
八木 英樹
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
荒井 滋久
東京工業大学
-
荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
-
荒井 滋久
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
八木 英樹
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
-
丸山 武男
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
西本 頼史
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
丸山 武男
金沢大学大学院自然科学研究科
-
丸山 武男
金沢大学理工研究域
-
プルームウォンロート タノーム
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
三浦 幸治
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
八木 英樹
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:独立行政法人科学技術振興機構
-
八木 英樹
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
三浦 幸治
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
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