ブラッグ波長デチューニングによるGaInAsP/InP量子細線DFBレーザの特性温度の改善(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
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概要
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しきい値電流密度の特性温度の改善を目的として、ブラッグ波長を利得ピークの長波長側にデチューニングしたGaInAsP/InP量子細線DFBレーザ(細線幅(W)=37nm、周期(∧)=247.5nm)の作製を行った。293Kから353Kの温度範囲におけるしきい値電流密度の特性温度は、デチューニングを行っていないレーザの特性温度が57Kであったのに対し、それよりも1.6倍大きい95Kという値が得られた。また、温度上昇による外部微分量子効率の低下においても改善が確認された。ブラッグ波長デチューニングは、1.5-1.6μrn帯の長波長帯レーザの特性温度を向上させる方法として有望であることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-06-23
著者
-
荒井 滋久
東京工業大学
-
荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
-
荒井 滋久
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
丸山 武男
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
西本 頼史
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
丸山 武男
金沢大学大学院自然科学研究科
-
丸山 武男
金沢大学理工研究域
-
プルームウォンロート タノーム
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
ブルームウォンロート タノーム
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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