a-Si表面回折格子を有する1550nm波長帯横方向電流注入型DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
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概要
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LSIの高速化に伴い、現在のグローバル配線層における遅延や発熱といった問題が将来的にLSI全体の性能を律速すると懸念されており、その解決策の一つとしてグローバル配線層を光配線に代替することが有望視されている。半導体薄膜(membrane)レーザは高屈折率差による強い光閉じ込め効果により高いモード利得が得られることから極低しきい値での動作が期待されている。これまでに、我々は半導体薄膜レーザの電流動作化に向けて、横方向電流注入構造を導入し、横方向電流注入型FPレーザを半絶縁性IhP基板上に試作してきた。今回、表面回折格子構造を用い横方向電流注入型DFBレーザの試作を行った。まず、ストライプ表面のGaInAsP層を直接エッチングすることで横方向電流注入構造としては初めての単一モードでの発振を確認し、更にa-Siを用いた表面回折格子を導入したDFBレーザを作製し、室温連続動作条件下でしきい値電流値7.0mA、外部微分量子効率43%の良好な発振特性を実現したのでご報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-12-10
著者
-
荒井 滋久
東京工業大学
-
伊藤 瞳
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
雨宮 智宏
東京大学先端科学技術研究センター
-
荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
-
荒井 滋久
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
雨宮 智宏
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
西山 伸彦
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
西山 伸彦
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
-
渥美 裕樹
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
奥村 忠嗣
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学電気電子工学専攻
-
奥村 忠嗣
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻
-
高橋 大佑
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
進藤 隆彦
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
奥村 忠嗣
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻
-
伊藤 瞳
東京工業大学電気電子工学専攻
-
小口 貴之
東京工業大学電気電子工学専攻
-
姜 〓〓
東京工業大学電気電子工学専攻
-
長部 亮
東京工業大学電気電子工学専攻
-
姜 〓〓
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
小口 貴之
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
長部 亮
東京工大
-
荒井 滋久
東京工業大学電気電子工学専攻:東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
長部 亮
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
-
姜 〓〓
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
Amemiya Tomohiro
Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan
-
西山 伸彦
東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻
-
渥美 裕樹
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
長部 亮
東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻
-
荒井 滋久
東京工業大学大学院電気電子工学専攻:東京工業大学大学院量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
雨宮 智宏
東京工業大学
-
進藤 隆彦
東京工業大学
-
西山 伸彦
東京工業大学
-
長部 亮
東京工業大学
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