Amemiya Tomohiro | Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan

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概要

• 同名の論文著者
• Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japanの論文著者

関連著者

• 雨宮 智宏

  東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター

• Amemiya Tomohiro

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan

• 荒井 滋久

  東京工業大学

• 荒井 滋久

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構

• 荒井 滋久

  東京工業大学電気電子工学専攻:東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 荒井 滋久

  東京工業大学大学院電気電子工学専攻:東京工業大学大学院量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 雨宮 智宏

  東京工業大学

• 西山 伸彦

  東京工業大学

• 西山 伸彦

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 雨宮 智宏

  東京大学先端科学技術研究センター

• 進藤 隆彦

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 進藤 隆彦

  東京工業大学

• 荒井 滋久

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 西山 伸彦

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 荒井 滋久

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 西山 伸彦

  東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻

• 荒井 滋久

  東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻

• 高橋 大佑

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 二見 充輝

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 二見 充輝

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 土居 恭平

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 姜 〓〓

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 姜 〓〓

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 渥美 裕樹

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 進藤 隆彦

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 姜 〓〓

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 渥美 裕樹

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 土居 恭平

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 西山 伸彦

  東京工業大学 精密工学研究所

• 高橋 大佑

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 信野 圭祐

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 明賀 聖慈

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 信野 圭祐

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 信野 圭祐

  東京工業大学 理工学研究科電気電子工学専攻

• 李 承勲

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• Arai Shigehisa

  Department Of Electrical And Electronics Engineering Tokyo Institute Of Technology

• 小田 学

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 小口 貴之

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 小田 学

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 小田 学

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• Nishiyama Nobuhiko

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan

• ARAI Shigehisa

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology

• NISHIYAMA Nobuhiko

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology

• 白尾 瑞基

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 雨宮 智宏

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 白尾 瑞基

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 小口 貴之

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 白尾 端基

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 白尾 瑞基

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 白尾 瑞基

  東京工業大学 理工学研究科電気電子工学専攻

• サイファー 豪志

  東京工業大学電気電子工学科

• 進藤 隆彦

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• サイファー 豪士

  電気電子工学科

• 伊藤 瞳

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 奥村 忠嗣

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学電気電子工学専攻

• 奥村 忠嗣

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻

• Oda Manabu

  Department Of Geriatric Pharmacology And Therapeutics Graduate School Of Pharmaceutical Sciences Chi

• 西山 伸彦

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 奥村 忠嗣

  東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻

• 伊藤 瞳

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 長部 亮

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 李 智恩

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 信野 圭祐

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• Kondo Daisuke

  Department Of Chemical Reaction Engineering Nagoya City University

• 荒井 滋久

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻:東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 長部 亮

  東京工大

• 西山 伸彦

  東京工業大学電気電子工学専攻:東京工業大学電気電子工学科

• 西川 佳宏

  東京工業大学電気電子工学科

• 長部 亮

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 村井 英淳

  東京工業大学電気電子工学専攻

• Sato Takashi

  Department Of Applied Biochemistry And Food Science Saga University

• Lee SeungHun

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan

• Okumura Tadashi

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan

• Ito Hitomi

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan

• Amemiya Tomohiro

  Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan

• Takino Yuta

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan

• Shirao Mizuki

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan

• Kang JoonHyun

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan

• Atsumi Yuki

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan

• TAKINO Yuta

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology

• SHIRAO Mizuki

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology

• Kondo Daisuke

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan

• Arai Shigehisa

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan

• 長部 亮

  東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻

• 西川 佳宏

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 山原 佳晃

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 雨宮 智宏

  東京工業大学大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• Oda Manabu

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan

• 荒井 滋久

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻:東京工業大学大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 長部 亮

  東京工業大学

• 李 智恩

  東京工業大学

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著作論文

• 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性
• 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPべースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• C-4-17 細線状活性層を有する分布反射型レーザの変調帯域拡大と10Gbit/s低消費電力動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• Lateral Junction Waveguide-Type Photodiode Grown on Semi-Insulating InP Substrate
• Regrowth Interface Quality Dependence on Thermal Cleaning of AlGaInAs/InP Buried-Heterostructure Lasers
• a-Si表面回折格子を有する1550nm波長帯横方向電流注入型DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• メタフォトニクス素子 : 導波路型光デバイスにおける透磁率制御の可能性(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
• C-4-27 金属側壁層を有するプラズモニックDFBレーザの理論解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• CS-2-5 メタマテリアルを有するInP系マッハツェンダー導波路における透磁率変化の推定(CS-2.メタマテリアル技術の最新動向-材料設計から実用化に向けた取組まで-,シンポジウムセッション)
• C-3-49 BCB埋め込み温度無依存SiスロットMZI型波長フィルタの高速信号伝送(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• CI-3-6 オンチップ光通信に向けたInP/Si貼り付け技術とその光デバイス特性(CI-3.接合技術を用いた新規集積光デバイス,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
• 細線状活性層を有する低消費電力分布反射型レーザの広変調帯域(>25Gbit/s)動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 細線状活性層を有する低消費電力分布反射型レーザの広変調帯域(>25Gbit/s)動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• C-4-17 横方向電流注入型半導体薄膜レーザの直接変調帯域の検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-91 金属側壁層を有するInP系プラズモニック導波路の作製評価(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-39 温度無依存BCB埋め込みSiスロットリング共振器を用いたドロップフィルタ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-38 多層アモルファスシリコン細線導波路間の信号伝送用グレーティングカプラ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• Low-Loss Amorphous Silicon Multilayer Waveguides Vertically Stacked on Silicon-on-Insulator Substrate
• C-3-59 金属ミラー付き多層アモルファスシリコン細線導波路間のグレーティングカプラ(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-15 GaInAsP横方向接合型薄膜フォトダイオードの特性評価(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• GaInAsP/InP半導体薄膜DFBレーザの電流注入動作と熱特性解析(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• GaInAsP/InP半導体薄膜DFBレーザの電流注入動作と熱特性解析(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• GaInAsP/InP半導体薄膜DFBレーザの電流注入動作と熱特性解析(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• GaInAsP/InP半導体薄膜DFBレーザの電流注入動作と熱特性解析(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• GaInAsP/InP半導体薄膜DFBレーザの電流注入動作と熱特性解析(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• GaInAsP/InP横方向電流注入型半導体薄膜レーザの低しきい値動作化(半導体レーザ関連技術,及び一般)

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