GaInAsP/InP横方向電流注入型半導体薄膜レーザの低しきい値動作化(半導体レーザ関連技術,及び一般)
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概要
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LSIの微細化・高速化に伴い、素子間の配線におけるRC遅延や発熱といった問題が将来的にLSI全体の性能を律速すると懸念されている。その解決策の一つとしてグローバル配線層を光配線に代替することが有望視されている。オンチップ光配線用の光源として半導体薄膜(membrane)レーザは高屈折率差による強い光閉じ込め効果により高いモード利得が得られることから極低しきい値での動作が期待されている。これまでに、我々は横方向電流注入構造を導入することにより半導体薄膜レーザの電流注入動作を実現してきた。今回、横方向電流注入型半導体薄膜レーザの動作特性の理論解析を行い、コア層厚150 nmを有する半導体薄膜レーザにおいて、オンチップ光配線への応用に向け十分な光出力強度と10 Gb/s以上の高速変調特性を1 mA以下の動作電流で実現可能である事を示した。さらに、半導体薄膜レーザの極低しきい値動作の実現に向け、Be-ドープコンタクト層を導入したコア層厚450 nmを有する半導体薄膜レーザを試作し、しきい値電流値3.8 mAの低しきい値動作化に成功したのでご報告する。
- 2012-12-06
著者
-
荒井 滋久
東京工業大学
-
荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
-
雨宮 智宏
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
西山 伸彦
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
進藤 隆彦
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
荒井 滋久
東京工業大学電気電子工学専攻:東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
二見 充輝
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
Amemiya Tomohiro
Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan
-
土居 恭平
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
荒井 滋久
東京工業大学大学院電気電子工学専攻:東京工業大学大学院量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
二見 充輝
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
土居 恭平
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
-
雨宮 智宏
東京工業大学
-
進藤 隆彦
東京工業大学
-
西山 伸彦
東京工業大学
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