荒井 滋久 | 東京工業大学大学院電気電子工学専攻:東京工業大学大学院量子ナノエレクトロニクス研究センター
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概要
関連著者
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荒井 滋久
東京工業大学
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荒井 滋久
東京工業大学電気電子工学専攻:東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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荒井 滋久
東京工業大学大学院電気電子工学専攻:東京工業大学大学院量子ナノエレクトロニクス研究センター
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西山 伸彦
東京工業大学
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西山 伸彦
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
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荒井 滋久
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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西山 伸彦
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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西山 伸彦
東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻
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荒井 滋久
東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻
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雨宮 智宏
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
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Amemiya Tomohiro
Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan
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雨宮 智宏
東京工業大学
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進藤 隆彦
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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進藤 隆彦
東京工業大学
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雨宮 智宏
東京大学先端科学技術研究センター
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高橋 大佑
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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渥美 裕樹
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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渥美 裕樹
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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西山 伸彦
東京工業大学 精密工学研究所
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進藤 隆彦
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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二見 充輝
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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二見 充輝
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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高橋 大佑
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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姜 〓〓
東京工業大学電気電子工学専攻
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姜 〓〓
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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土居 恭平
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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李 承勲
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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姜 〓〓
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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白尾 瑞基
東京工業大学電気電子工学専攻
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小田 学
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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小田 学
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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白尾 端基
東京工業大学電気電子工学専攻
-
小田 学
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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荒井 滋久
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻:東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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土居 恭平
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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Parekh D.
カリフォルニア大学バークレー校
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Yang W.
カリフォルニア大学バークレー校
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Guo P.
カリフォルニア大学バークレー校
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田島 典明
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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Chang-Hasnain C.J.
カリフォルニア大学バークレー校
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田島 典明
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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信野 圭祐
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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明賀 聖慈
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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信野 圭祐
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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佐藤 憲明
東京工業大学電気電子工学専攻
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佐藤 孝司
東京工業大学電気電子工学専攻
-
佐藤 孝司
東京工業大学 電気電子工学専攻
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信野 圭祐
東京工業大学 理工学研究科電気電子工学専攻
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PAREKH Devang
カリフォルニア大学バークレー校
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YANG Weijian
カリフォルニア大学バークレー校
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GUO Peng
カリフォルニア大学バークレー校
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CHANG-HASNAIN Connie
カリフォルニア大学バークレー校
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長部 亮
東京工業大学電気電子工学専攻
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李 智恩
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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Chang-hasnain Connie
カリフォルニア大バークレー校
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Yang Weijian
カリフォルニア大バークレー校
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小口 貴之
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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長部 亮
東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻
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長部 亮
東京工業大学
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李 智恩
東京工業大学
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白尾 瑞基
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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雨宮 智宏
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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小口 貴之
東京工業大学電気電子工学専攻
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白尾 瑞基
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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長部 亮
東京工大
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白尾 瑞基
東京工業大学 理工学研究科電気電子工学専攻
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林 佑介
東京工業大学工学部電気電子工学科
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長部 亮
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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サイファー 豪志
東京工業大学電気電子工学科
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福田 渓太
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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山原 佳晃
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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進藤 隆彦
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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福田 渓太
東京工業大学
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サイファー 豪士
電気電子工学科
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伊藤 瞳
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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李 承勲
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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奥村 忠嗣
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学電気電子工学専攻
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奥村 忠嗣
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻
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西山 伸彦
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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奥村 忠嗣
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻
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伊藤 瞳
東京工業大学電気電子工学専攻
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前田 泰奈
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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信野 圭祐
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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荒井 滋久
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻:東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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西山 伸彦
東京工業大学電気電子工学専攻:東京工業大学電気電子工学科
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西川 佳宏
東京工業大学電気電子工学科
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村井 英淳
東京工業大学電気電子工学専攻
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林 侑介
東京工業大学電気電子工学専攻
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林 侑介
東京工業大学工学部 電気電子工学科
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西川 佳宏
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
-
山原 佳晃
東京工業大学大学院電気電子工学専攻
-
土居 恭平
東京工業大学大学院電気電子工学専攻
-
雨宮 智宏
東京工業大学大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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荒井 滋久
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻:東京工業大学大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
進藤 隆彦
東京工業大学大学院電気電子工学専攻
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福田 渓太
東京工業大学電気電子工学専攻
-
林 侑介
東京工業大学
著作論文
- C-4-29 光注入同期による活性層分離型分布反射型レーザの変調帯域増大(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPべースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- C-4-17 細線状活性層を有する分布反射型レーザの変調帯域拡大と10Gbit/s低消費電力動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- CI-1-6 多層光回路構造実現のための異種基板積層技術とデバイス特性(CI-1.ナノフォトニクス技術のアクションアイテムズ,依頼シンポジウム,シンポジウムセッション)
- a-Si表面回折格子を有する1550nm波長帯横方向電流注入型DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- BCB貼付によるSi基板上GaInAsP細線導波路特性(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- BCB埋め込みSi細線スロット導波路を用いた温度無依存波長フィルタ(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- メタフォトニクス素子 : 導波路型光デバイスにおける透磁率制御の可能性(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
- C-4-27 金属側壁層を有するプラズモニックDFBレーザの理論解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- CS-2-5 メタマテリアルを有するInP系マッハツェンダー導波路における透磁率変化の推定(CS-2.メタマテリアル技術の最新動向-材料設計から実用化に向けた取組まで-,シンポジウムセッション)
- C-3-49 BCB埋め込み温度無依存SiスロットMZI型波長フィルタの高速信号伝送(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- CI-3-6 オンチップ光通信に向けたInP/Si貼り付け技術とその光デバイス特性(CI-3.接合技術を用いた新規集積光デバイス,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- C-3-50 オンチップ光配線に向けた光導波路作製(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 細線状活性層を有する低消費電力分布反射型レーザの広変調帯域(>25Gbit/s)動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 細線状活性層を有する低消費電力分布反射型レーザの広変調帯域(>25Gbit/s)動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 1.3μm波長帯A1GaInAs/InP埋め込みヘテロ構造トランジスタレーザの室温連続発振(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3μm波長帯A1GaInAs/InP埋め込みヘテロ構造トランジスタレーザの室温連続発振(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3μm波長帯A1GaInAs/InP埋め込みヘテロ構造トランジスタレーザの室温連続発振(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3μm波長帯A1GaInAs/InP埋め込みヘテロ構造トランジスタレーザの室温連続発振(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-4-17 横方向電流注入型半導体薄膜レーザの直接変調帯域の検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-91 金属側壁層を有するInP系プラズモニック導波路の作製評価(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-39 温度無依存BCB埋め込みSiスロットリング共振器を用いたドロップフィルタ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-38 多層アモルファスシリコン細線導波路間の信号伝送用グレーティングカプラ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- アモルファスシリコンを用いた多層光導波路作製法の検討(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS)、シリコンフォトニクス、光ファイバ、一般)
- 表面活性化接合によるAlInAs酸化狭窄型GaInAsP/Siハイブリッドレーザの検討(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-3-62 AlInAs酸化狭窄層を有するGaInAsP/SiハイブリッドSOA多機能集積のための構造設計(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-59 金属ミラー付き多層アモルファスシリコン細線導波路間のグレーティングカプラ(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-15 GaInAsP横方向接合型薄膜フォトダイオードの特性評価(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-93 InP系横接合型半導体薄膜能動光素子と細線光導波路のテーパー結合(導波路解析,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- GaInAsP/InP半導体薄膜DFBレーザの電流注入動作と熱特性解析(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- GaInAsP/InP半導体薄膜DFBレーザの電流注入動作と熱特性解析(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- GaInAsP/InP半導体薄膜DFBレーザの電流注入動作と熱特性解析(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- GaInAsP/InP半導体薄膜DFBレーザの電流注入動作と熱特性解析(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- GaInAsP/InP半導体薄膜DFBレーザの電流注入動作と熱特性解析(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- GaInAsP/InP横方向電流注入型半導体薄膜レーザの低しきい値動作化(半導体レーザ関連技術,及び一般)