福田 渓太 | 東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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概要
関連著者
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林 佑介
東京工業大学工学部電気電子工学科
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福田 渓太
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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荒井 滋久
東京工業大学
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荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
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東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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長部 亮
東京工業大学電気電子工学専攻
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荒井 滋久
東京工業大学電気電子工学専攻:東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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長部 亮
東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻
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西山 伸彦
東京工業大学
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長部 亮
東京工業大学
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福田 渓太
東京工業大学
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渥美 裕樹
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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渥美 裕樹
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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荒井 滋久
東京工業大学大学院電気電子工学専攻:東京工業大学大学院量子ナノエレクトロニクス研究センター
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林 侑介
東京工業大学
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荒井 滋久
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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東京工大
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東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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荒井 滋久
東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻
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林 侑介
東京工業大学電気電子工学専攻
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林 侑介
東京工業大学工学部 電気電子工学科
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福田 渓太
東京工業大学電気電子工学専攻
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カン ジュンヒョン
東京工業大学
著作論文
- 表面活性化接合によるAlInAs酸化狭窄型GaInAsP/Siハイブリッドレーザの検討(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-3-62 AlInAs酸化狭窄層を有するGaInAsP/SiハイブリッドSOA多機能集積のための構造設計(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- InP/Siハイブリッド光デバイスにおける複数機能一括貼り付け形成のための構造検討 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 窒素プラズマ活性化を用いたIII-V/Si直接貼り付けとそのハイブリッドレーザへの応用(半導体レーザ関連技術,及び一般)