窒素プラズマ活性化を用いたIII-V/Si直接貼り付けとそのハイブリッドレーザへの応用(半導体レーザ関連技術,及び一般)
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概要
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直接貼り付けを用いたIII-V/Siハイブリッド集積は、次世代大規模光集積回路の実現において有力な方法である。プラズマ活性化貼り付け法は従来の直接貼り付け法と比較して、低温加熱で高い貼り付け強度の実現が可能とされており、これを利用することで高効率ハイブリッドレーザの実現が期待される。今回、窒素プラズマ活性化貼り付け法を用い、InP/Si貼り付け強度および貼り付け後PL強度のプロセス温度依存性を調べ、150 °Cの貼り付け時に室温貼り付け時と比較して70%以上のPL強度を維持しつつ、レーザ作製に耐えうる貼り付け強度が得られることを確認した。これらの技術を用い、従来報告と比較して150°Cという低温貼り付けでGaInAsP/Siハイブリッドレーザを作製し、しきい値電流密度850 A/cm2を実現した。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-12-06
著者
-
荒井 滋久
東京工業大学
-
荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
-
西山 伸彦
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
渥美 裕樹
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
長部 亮
東京工業大学電気電子工学専攻
-
荒井 滋久
東京工業大学電気電子工学専攻:東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
林 佑介
東京工業大学工学部電気電子工学科
-
福田 渓太
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
-
渥美 裕樹
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
長部 亮
東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻
-
林 侑介
東京工業大学
-
カン ジュンヒョン
東京工業大学
-
西山 伸彦
東京工業大学
-
長部 亮
東京工業大学
-
福田 渓太
東京工業大学
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