GaInAsP/InP長波長帯量子細線半導体レーザ
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概要
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低次元キャリアを用いる量子細線・量子箱構造半導体レーザでは、その高光利得特性を反映した究極的低電流動作・高効率化、高い特性温度、および利得スペクトルの尖鋭性に起因する狭線幅特性など、半導体レーザの基本的動作特性全般にわたっての高性能動作が理論的に予測され、エッチングを主とする極微構造の形成法や成長を主とする自己組織化成長法など多くの研究が報告されてきている。 我々は、電子ビーム露光法と湿式化学エッチング及び 2 段階 OMVPE 法を用いる量子細線・量子箱構造の作製法、ならびに GaInAs(P)/InP 量子細線構造を活性媒質とする長波長レーザの基本的動作特性について報告してきた。本報告では、最近試作した量子細線構造の偏光特性、および同一ウェーハ上に作製した量子細線レーザならびに量子薄膜レーザの発振特性の比較を行ったのでご報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
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