GaInAsP/InP量子細線レーザの作製とその光学利得特性評価
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概要
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電子ビーム露光法と湿式化学エッチング及び2段階OMVPE法を用いてGaInAsP/InP量子細線構造レーザを試作し、同一ウェーハ上に作製した量子薄膜レーザとの発振特性の比較を行った結果、T<200Kにおいては、量子薄膜レーザによりも低しきい値・高効率で動作することを示した。また、微分量子効率の共振器長依存性から、量子細線レーザにおける内部微分量子効率はT<200Kではほぼ100%と見積もられた。さらに100Kにおいて光利得スペクトル特性の測定を行った結果、量子細線構造レーザの媒質利得スペクトルが量子薄膜のそれより狭いことを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-03
著者
-
小島 隆
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
-
中谷 洋幸
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
-
荒井 滋久
東京工業大学
-
荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
-
安本 英雄
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
-
田中 英
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
-
田村 茂雄
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
-
田村 茂雄
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
田中 英
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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