GH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長によるGaInAs/PInP多層量子細線レーザ
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概要
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電子ビーム露光法とCH_4/H_2-RIEおよび2段階OMVPE法を用いることによって、二層構造のGaInAsP/InP電子細線レーザ(周期100nm、活性層幅21nm)を始めて実現した。しきい値電流密度はJ_th=1.45kA/cm^2であり、これまで湿式科学エッチング法で作製した量子細線レーザよりも低い値が得られた。さらに、ドライエッチング後のクリーニング処理による層数の減少を抑制するための改善を行ない、幅の揃った5層の細線活性層を有するレーザ(周期 120nm、活性層幅 42nm)を試作した結果、しきい値電流密度J_th=540A/cm^2(共振器長@L=1.38mm)が得られた。
- 1999-07-09
著者
-
小島 隆
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
-
荒井 滋久
東京工業大学
-
荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
-
安本 英雄
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
-
布谷 伸浩
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
-
田中 英
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
-
中村 円香
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
-
田村 茂雄
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
-
田村 茂雄
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
中村 円香
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
-
田中 英
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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