活性層分離型DFBと量子細線DBRを有する分布反射型レーザの低電流・高効率動作(<特集>量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
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概要
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我々はこれまでに活性層を直接加工した活性層分離型DFBレーザを作製し、低しきい値電流動作、安定単一モード動作および初期信頼性に優れていることを実証している。さらに、低しきい値電流動作を維持したまま高効率を実現するために、活性層分離構造を有する活性領域と量子細線構造からなる低損失な受動領域を集積した分布反射型レーザを作製してきた。今回は受動領域の反射率ピークを発振波長に一致させることにより、活性領域長300μm、ストライプ幅4.4μmの素子において、発振しきい値2.5mA、前端面からの外部微分量子効率36%の低しきい値かつ高効率動作を達成した。また、しきい値の2倍の電流値において副モード抑圧比54dBの良好な安定した単一モード動作を実現した。
- 2004-06-25
著者
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八木 英樹
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
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大平 和哉
(株)東芝研究開発センター
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荒井 滋久
東京工業大学
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ハク アニスル
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:jst-crest
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荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
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荒井 滋久
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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田村 茂雄
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
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八木 英樹
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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田村 茂雄
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
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大平 和哉
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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村山 智則
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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広瀬 誠人
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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八木 英樹
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:独立行政法人科学技術振興機構
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八木 英樹
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
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