八木 英樹 | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:独立行政法人科学技術振興機構
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概要
関連著者
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八木 英樹
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
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荒井 滋久
東京工業大学
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荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
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荒井 滋久
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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八木 英樹
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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八木 英樹
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:独立行政法人科学技術振興機構
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八木 英樹
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
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大平 和哉
(株)東芝研究開発センター
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大平 和哉
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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丸山 武男
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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丸山 武男
金沢大学大学院自然科学研究科
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丸山 武男
金沢大学理工研究域
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プルームウォンロート タノーム
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
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三浦 幸治
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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三浦 幸治
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
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ハク アニスル
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:jst-crest
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佐野 琢哉
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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佐野 琢哉
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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佐野 琢哉
東京工業大学大学院理工学研究科物理学専攻
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田村 茂雄
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
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田村 茂雄
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
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西本 頼史
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
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布谷 伸浩
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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村主 賢悟
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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村山 智則
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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広瀬 誠人
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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村主 賢悟
古河電気工業株式会社:光産業技術振興協会
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尾野村 章弘
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
著作論文
- ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ
- 細線構造を有する分布反射型(DR)レーザ(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎から応用,その他一般)
- GaInAsP/InP極微構造の低損傷形成による低電流歪補償量子細線DFBレーザ(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- 1540nm波長帯GaInAsP/InP歪補償量子細線DFBレーザの低しきい値電流動作(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- GaInAsP/InP歪量子細線レーザの利得異方性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- 1540nm波長帯GaInAsP/InP歪補償量子細線DFBレーザの低しきい値電流動作(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- CH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- CH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- ドライエッチングと再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザの室温連続発振(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
- ドライエッチングと再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザの室温連続発振(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
- ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ
- 活性層分離型DFBと量子細線DBRを有する分布反射型レーザの低電流・高効率動作(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 活性層分離型DFBと量子細線DBRを有する分布反射型レーザの低電流・高効率動作(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- GaInAsP/InP歪量子細線レーザの利得異方性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)