1540nm波長帯GaInAsP/InP歪補償量子細線DFBレーザの低しきい値電流動作(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
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概要
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電子ビーム露光法とメタン・水素反応性イオンエッチング、及び有機金属気相成長法による埋め込み再成長を用いることにより、歪補償量子細線活性層(細線幅: 24nm、4層量子細線)を有するGaInAsP/InP活性層分離型DFBレーザを初めて実現した。室温連続動作条件による電流-光出力特性から、ストライプ幅3.0μm、共振器長330μmの素子において、しきい値電流2.7mA(しきい値電流密度: 270A/cm^2)が得られ、量子細線活性層による体積効果、及び活性層分離型DFB構造に起因した高内部反射により、量子細線レーザとして従来にない低しきい値電流動作を達成した。また、しきい値の2倍の注入電流における発振スペクトル測定から、発振波長1541nm、副モード抑圧比51dBが観測され、良好な単一モード動作が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-17
著者
-
八木 英樹
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
大平 和哉
(株)東芝研究開発センター
-
荒井 滋久
東京工業大学
-
荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
-
荒井 滋久
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
八木 英樹
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
-
丸山 武男
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
西本 頼史
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
丸山 武男
金沢大学大学院自然科学研究科
-
丸山 武男
金沢大学理工研究域
-
大平 和哉
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
プルームウォンロート タノーム
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
三浦 幸治
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
八木 英樹
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:独立行政法人科学技術振興機構
-
八木 英樹
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
三浦 幸治
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
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