Si細線に集積した導波路型InGaAs MSM受光素子(光パッシブコンポーネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
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概要
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光配線用のSi導波路に集積したInGaAs MSM受光素子の提案および基本動作特性に関して報告する。本素子はSi導波路にInGaAs吸収層をウェハ直接接合技術により接合しており、Si導波路から吸収層へ光を分布結合させるタイプの素子である。導波路と吸収層を直接接合したことにより、導波路との高効率結合が可能である。また、MSM電極の採用により、簡易な電極形成、高速応答特性が期待できる。動作特性解析において、素子長10μm幅2μmで量子効率80%以上が得られることを明らかとし、これまでの素子に比べて小面積の受光素子が実現できることを示した。実際にSi導波路上に作製した素子において、波長1.55μm受光動作を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-12-12
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