MBE成長GaN/AlN多重量子井戸の近赤外サブバンド間吸収
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概要
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超高速光デバイスヘの応用が期待されるGaN系サブバンド間遷移に関し, MBE成長とAlN障壁層の採用により, 光通信波長帯のサブバンド間吸収が実現された.ピーク波長1.3〜1.5μmの吸収スペクトルは±1モノレーヤの厚さ揺らぎに相当する三つのローレンツ型スペクトル成分に分解でき, その半値幅は80〜100meVであった.サブバンド間遷移波長はピエゾ電気効果や自発分極に起因する電界(≥5MV/cm)により大きな影響を受けている.測定された吸収波長は, 量子井戸一周期ごとの電位低下がゼロという電界再配分モデルとへテロ界面に±1モノレーヤ程度の組成傾斜層を仮定して計算した理論値とよい一致か得られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-17
著者
-
鈴木 信夫
(株)東芝研究開発センター
-
飯塚 紀夫
(株)東芝研究開発センター
-
金子 桂
(株)東芝 研究開発センターフロンティアリサーチラボラトリー
-
鈴木 信夫
東芝 研開セ
-
鈴木 信夫
Advanced Discrete Semiconductor Technology Lab., Corporate R & D Center, Toshiba Corp.
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