超高速GaN/AlNサブバンド間遷移光スイッチのシミュレーション(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
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概要
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不均一スペクトル拡がりや2次元モード分布等の影響も考慮したGaN系サブバンド間遷移光スイッチのシミュレータを開発し, 実験結果と比較検討を行った. 試作素子の特性は, 長すぎた吸収ピーク波長や, 転位に起因する過剰損失により制限されていた. これらを改善すれば, スイッチングエネルギーを現状のリッジ構造で10pJ程度まで, サブミクロン寸法のハイメサ構造で1pJ程度まで低減できるものと期待される. 実験で得られた光ゲート幅(〜360fs)はポンプ光のパルス幅により制限されており, イントリンシックな応答速度は100fsオーダーである.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-01-21
著者
-
鈴木 信夫
(株)東芝研究開発センター
-
飯塚 紀夫
(株)東芝研究開発センター
-
鈴木 信夫
(株)東芝 研究開発センター
-
金子 桂
(株)東芝 研究開発センターフロンティアリサーチラボラトリー
-
鈴木 信夫
東芝 研開セ
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