GaN中のサブバンド間遷移を利用した超高速光ゲートの解析
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概要
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AlGaN/GaN多重量子井戸のサブバンド間吸収飽和を利用した非線形光導波路における、サブピコ秒光パルスによる光ゲート動作を、キャリア・ダイナミクスをレート方程式で取り込んだ時間領域有限差分(FDTD)法により解析した。信号光パルスの変形を防ぐためには、制御光パルスの幅を信号光パルスより広めに設定する必要がある。例えば、波長1.5μm、幅300fs、200pJの制御光パルスにより、波長1.6μm、幅100fs、10pJの信号光パルスの制御を行う場合で、出力光パルス幅は140fs、消光比は16dBと計算された。100fs光パルスのスペクトルが広いので、十分な動作マージンを確保するためには吸収スペクトル幅の拡大が望まれる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-01-18
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