GaN系量子井戸のサブバンド間遷移に対するビルトイン電界の影響
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概要
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窒素物半導体量子井戸中のサブバンド間遷移は、超高速光スイッチへの応用が期待されている。この系固有のピエゾ電気効果や自発分極によるビルトイン電界がサブバンド間遷移に及ぼす影響について検討した。Al_<0.65>Ga_<0.35>N/GaN量子井戸のサブバンド間吸収波長の測定結果から、井戸層には約2MV/cmのビルト電界が存在していると推定される。厚い井戸内のビルトイン電界は、顕著な吸収波長の短波長化や緩和時間の増大を引き起こす。一方、障壁層のビルトイン電界は、薄い井戸の第2サブバンドの形成に影響する。サブバンド間遷移の短波長化には、障壁を高めるだけでなく、障壁層の電界の抑制が重要である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-01-19
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