Si導波路と集積化したオンチップ光配線デバイスの開発(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
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概要
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シリコンフォトニクス技術を活用したLSI光配線の実現に向けて、Siチップ上に光導波路及び光機能デバイスの小型・集積化の技術開発を進めている。半導体レーザ光源(LD)とシリコン導波路および受光素子(PD)を1チップ上に集積化し、高効率で温度特性に優れた光送受信動作を実証した。LDには1.3μm帯GaInNAs/GaAs単一量子井戸レーザを用い、Si導波路と集積化する際にSOI基板の下地Siに接合した素子構造の採用により、良好な温度特性、Si導波路への高い光結合効率62%が得られた。
- 2009-12-11
著者
-
大平 和哉
(株)東芝研究開発センター
-
吉田 春彦
(株)東芝研究開発センター
-
飯塚 紀夫
(株)東芝研究開発センター
-
江崎 瑞仙
(株)東芝研究開発センター
-
小林 賢太郎
(株)東芝研究開発センター
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