GaInAsP/InP極微構造の低損傷形成による低電流歪補償量子細線DFBレーザ(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
EB露光、CH_4/H_2-RIE、及びOMVPEによる埋め込み再成長法を用いて作製したGaInAsP/InP長波長帯歪補償量子細線レーザについてご報告する。自然放出光強度の偏波異方性から、キャリヤの横方向量子閉じ込め効果が細線幅30-40nmと広い場合でも顕著であることを明らかにした。また、上述の作製法を用いて量子細線DFBレーザ(細線幅: 30nm、周期: 240nm)を作製した結果、室温連続動作条件において、1.55μm波長帯における低次元量子構造を用いた半導体レーザとして最小しきい値電流密度動作(176A/cm^2)を達成する共に、良好な単一モード動作(波長: 1542nm、副モード抑圧比: 50dB)を達成した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-12-02
著者
-
八木 英樹
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
大平 和哉
(株)東芝研究開発センター
-
荒井 滋久
東京工業大学
-
荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
-
荒井 滋久
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
八木 英樹
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
-
丸山 武男
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
西本 頼史
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
丸山 武男
金沢大学大学院自然科学研究科
-
丸山 武男
金沢大学理工研究域
-
大平 和哉
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
プルームウォンロート タノーム
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
三浦 幸治
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
八木 英樹
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:独立行政法人科学技術振興機構
-
八木 英樹
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
三浦 幸治
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
関連論文
- GH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長によるGaInAs/PInP多層量子細線レーザ
- Si導波路と集積化したオンチップ光配線デバイスの開発 (光エレクトロニクス)
- テーパ状導波路半導体光増幅器の利得飽和特性と光結合効率
- BCB埋め込み型リッジ導波路構造を有する1.3μm波長帯AlGaInAs/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 情報通信 BCB平坦化プロセスによる1.3μum波長帯AlGalnAs/lnPリッジ導波路型レーザ
- エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- 凹凸形状回折格子を用いた半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- Si細線導波路集積デバイス(フォトニックNWシステム・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの進展 : 高効率・低しきい値動作と強戻り光耐性(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- 半導体薄膜レーザ実現に向けた半絶縁性基板上GaInAsP薄膜への横注入型レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ
- 細線構造を有する分布反射型(DR)レーザ(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎から応用,その他一般)
- 低損傷CH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長による1.5μm波長帯GaInAsP/InP歪補償多層細線レーザの低しきい値動作
- 低しきい値・高効率動作のための活性層分離型分布反射型レーザの設計と試作
- 28p-ZC-9 GaInAsP/InP低次元量子井戸構造のためのCH_4/H_2ドライエッチング/埋込み再成長
- 28p-B-10 CH_4/H_2-RIEとOMVPE埋め込み再成長によるGaInAsP/InP DFBレーザの作製
- 28a-B-9 1.55μm波長GaInAsP/InP圧縮歪多重量子井戸レーザの温度特性
- 29p-ZH-4 GaInAsP/InP細線レーザの自然放出光からの表面再結合速度の見積もり
- GH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長によるGaInAs/PInP多層量子細線レーザ
- GaInAsP/InP量子細線レーザの作製とその光学利得特性評価
- GaInAsP/InP量子細線レーザの作製とその光学利得特性評価
- DFB導波路全光スイッチの偏光無依存動作特性
- DFB導波路全光スイッチの偏光無依存動作特性
- DFB導波路全光スイッチの偏光無依存動作特性
- DFB導波路全光スイッチの偏光無依存動作特性
- BCB埋め込み型リッジ導波路構造を有する1.3μm波長帯AlGaInAs/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- C-3-7 BCB埋め込みSiスロット導波路構造を用いた温度無依存波長フィルタ(導波路デバイス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- 凹凸形状回折格子を用いた半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- CK-1-8 シリコン上レーザ実現への展望(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
- CK-1-8 シリコン上レーザ実現への展望(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
- 直接貼り付け法によるSOI基板上GaInAsP/InP半導体薄膜レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 誘電体クラッド半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 誘電体クラッド半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- C-4-29 光注入同期による活性層分離型分布反射型レーザの変調帯域増大(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 第19回インジウム燐および関連材料国際会議 (IPRM2007) 報告
- オンチップ光配線用MZI型シリコン光変調器およびInGaAs MSM-PDの小型集積化技術の開発 (光エレクトロニクス)
- テーパ状導波路を有する半導体光励起方向性結合型光スイッチ
- オプトエレクトロニクス・光デバイス
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPべースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 光通信帯における左手系光制御素子の設計(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- C-4-34 細線状活性層を有する分布反射型レーザの反射戻り光耐性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-29 細線状活性層を有する分布反射型レーザの直接変調特性(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- Si導波路と集積化したオンチップ光配線デバイスの開発(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- 半絶縁性基板上GaInAsP/InP横注入薄膜コアレーザの室温連続動作(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 半導体薄膜BH-DFBレーザアレイに関する研究(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
- 半導体薄膜BH-DFBレーザアレイに関する研究(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
- GaInAsP/InP長波長帯量子細線半導体レーザ
- EB露光法による極微構造の作製とGaInAsP/InP量子細線レーザへの応用
- CI-2-4 シリコン基板上半導体レーザ・発光デバイスの現状(CI-2.シリコンフォトニクス:ビルディングブロック開発からアプリケーション構築へのステップアップ,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- ブラッグ波長デチューニングによるGaInAsP/InP量子細線DFBレーザの特性温度の改善(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- ブラッグ波長デチューニングによるGaInAsP/InP量子細線DFBレーザの特性温度の改善(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- GaInAsP/InP極微構造の低損傷形成による低電流歪補償量子細線DFBレーザ(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- 1540nm波長帯GaInAsP/InP歪補償量子細線DFBレーザの低しきい値電流動作(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- GaInAsP/InP歪量子細線レーザの利得異方性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- 1540nm波長帯GaInAsP/InP歪補償量子細線DFBレーザの低しきい値電流動作(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- CH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- CH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- ドライエッチングと再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザの室温連続発振(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
- ドライエッチングと再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザの室温連続発振(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
- ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ
- C-3-46 光細線導波路集積デバイス(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- Si細線導波路集積デバイス
- Si細線導波路集積デバイス(フォトニックNWシステム・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- Si細線導波路集積デバイス(フォトニックNWシステム・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- テラヘルツ信号の光生成キャリアによる光信号からの直接変換(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 深いエッチング溝にBCBを埋め込んだ1.55μm波長帯単一モード半導体レーザの設計と試作
- 活性層分離型DFBと量子細線DBRを有する分布反射型レーザの低電流・高効率動作(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 活性層分離型DFBと量子細線DBRを有する分布反射型レーザの低電流・高効率動作(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- Si細線に集積した導波路型InGaAs MSM受光素子(光パッシブコンポーネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- GaInAsP/InP歪量子細線レーザの利得異方性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- 基礎からわかるナノデバイス, 青柳克信,石橋幸治,高柳英明,中ノ勇人,平山祥郎(共著), コロナ社, 2011-03, A5判, 定価(本体3,400円+税)
- オンチップ光配線用MZI型シリコン光変調器およびInGaAs MSM-PDの小型集積化技術の開発(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- C-4-31 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザの試作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-19 部分ドープ多重量子井戸によるInP系マッハツェンダ変調器の低駆動電圧化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-15 バットジョイントによるInP系90°ハイブリッド集積型pin-PDの高感度・広帯域動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-3-48 100Gb/s小型コヒーレントレシーバ向けInP系90.ハイブリッドMMI集積型受光素子(光集積デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-27 InP系変調素子とドライバICを内蔵した小型DP-QPSK変調器モジュールの低消費電力駆動(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- 100Gb/s小型コヒーレントレシーバ向けInP系90°ハイブリッド : 集積型pin-PDの高感度・広帯域動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 100Gb/s小型コヒーレントレシーバ向けInP系90°ハイブリッド : 集積型pin-PDの高感度・広帯域動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- OFC/NFOEC2013報告 : アクティブモジュール/集積デバイス・シリコンフォトニクス(光変復調方式,多値光変復調,コヒーレント光通信,光増幅・中継技術,非線形・偏波問題,コア・メトロシステム,海底伝送システム,光伝送システム設計・ツール,一般(OFC報告))
- B-10-86 InP系90゜ハイブリッド集積型PDを用いた100Gb/s小型コヒーレントレシーバ(B-10.光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格))
- InP系90°ハイブリッド集積PDを搭載した小型コヒーレントレシーバ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- InP系90°ハイブリッド集積PDを搭載した小型コヒーレントレシーバ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- InP系90°ハイブリッド集積PDを搭載した小型コヒーレントレシーバ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- InP系90°ハイブリッド集積PDを搭載した小型コヒーレントレシーバ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- コヒーレントレシーバの高感度化に向けた90°ハイブリッド集積型受光素子(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))
- InP系90°ハイブリッド集積PDを搭載した小型コヒーレントレシーバ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- コヒーレントレシーバの高感度化に向けた90°ハイブリッド集積型受光素子(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))
- コヒーレントレシーバの高感度化に向けた90°ハイブリッド集積型受光素子(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))
- C-4-10 100Gb/s小型コヒーレントレシーバ向けInP系90°ハイブリッド集積型PDアレイの高信頼性動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)