八木 英樹 | 住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

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概要

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関連著者

• 八木 英樹

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 荒井 滋久

  東京工業大学

• 荒井 滋久

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構

• 荒井 滋久

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 八木 英樹

  東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター

• 八木 英樹

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:独立行政法人科学技術振興機構

• 八木 英樹

  東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 米田 昌博

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 武智 勝

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 立岩 義弘

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 大西 裕

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 大平 和哉

  (株)東芝研究開発センター

• 大平 和哉

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 丸山 武男

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 丸山 武男

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 丸山 武男

  金沢大学理工研究域

• 井上 尚子

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 増山 竜二

  住友電気工業

• 勝山 智和

  住友電気工業(株)

• 小路 元

  住友電気工業(株) 伝送デバイス研究所

• 菊地 健彦

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• プルームウォンロート タノーム

  東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 三浦 幸治

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 三浦 幸治

  東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター

• ハク アニスル

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:jst-crest

• 佐野 琢哉

  東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター

• 佐野 琢哉

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 佐野 琢哉

  東京工業大学大学院理工学研究科物理学専攻

• 山路 和宏

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 田村 茂雄

  東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター

• 田村 茂雄

  東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 西本 頼史

  東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 藤村 康

  住友電気工業 オプトエレクトロニクス研

• 原 弘

  住友電気工業(株)

• 八木 英樹

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 荻田 省一

  住友電気工業(株) 伝送デバイス研究所

• 立岩 義弘

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所回路技術研究部

• 井上 尚子

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 米田 昌博

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 勝山 智和

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 上坂 勝己

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 布谷 伸浩

  東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター

• 辻 幸洋

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 吉永 弘幸

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 辻 幸洋

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 辻 幸洋

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 吉永 弘幸

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 菊地 健彦

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 市川 弘之

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 福田 智恵

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 上坂 勝己

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 村主 賢悟

  東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター

• 市川 弘之

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 野間口 俊夫

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 平塚 健二

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 藤井 康祐

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 河野 直哉

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 村山 智則

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 広瀬 誠人

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 村主 賢悟

  古河電気工業株式会社:光産業技術振興協会

• 河野 直哉

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 市川 弘之

  住友電気工業 伝送デバイス研

• 三浦 貴光

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 関 守弘

  住友電気工業

• 北村 崇光

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 福田 智恵

  住友電気工業株式会社伝送デ

• 武智 勝

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 福田 智恵

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 橋本 順一

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 井上 尚子

  横浜国立大学・工

• 田中 啓二

  住友電気工業株式会社 伝送デバイス研究所

• 山内 康之

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 小路 元

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 勝山 造

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 勝山 造

  住友電気工業

• 勝山 造

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 小山 健二

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 勝山 造

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 尾野村 章弘

  東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター

• 加藤 隆志

  住友電気工業(株)

• 荒井 滋久

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 稲田 博史

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 村田 誠

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 関 守弘

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 渡部 徹

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 武智 勝

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所回路技術研究部

• 橋本 順一

  財団法人光産業技術振興協会:住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 加藤 隆志

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 加藤 隆志

  住友電気工業

• 巽 泰三

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 板橋 直樹

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 堀野 和彦

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 山中 慎吾

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 田中 啓二

  住友電気工業株式会社伝送デ

• 増山 竜二

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 稲田 博史

  住友電気工業株式会社

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著作論文

• BCB埋め込み型リッジ導波路構造を有する1.3μm波長帯AlGaInAs/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• 情報通信 BCB平坦化プロセスによる1.3μum波長帯AlGalnAs/lnPリッジ導波路型レーザ
• ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ
• 細線構造を有する分布反射型(DR)レーザ(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎から応用,その他一般)
• BCB埋め込み型リッジ導波路構造を有する1.3μm波長帯AlGaInAs/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• GaInAsP/InP極微構造の低損傷形成による低電流歪補償量子細線DFBレーザ(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
• 1540nm波長帯GaInAsP/InP歪補償量子細線DFBレーザの低しきい値電流動作(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
• GaInAsP/InP歪量子細線レーザの利得異方性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
• 1540nm波長帯GaInAsP/InP歪補償量子細線DFBレーザの低しきい値電流動作(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
• CH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• CH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• ドライエッチングと再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザの室温連続発振(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
• ドライエッチングと再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザの室温連続発振(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
• ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ
• 活性層分離型DFBと量子細線DBRを有する分布反射型レーザの低電流・高効率動作(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• 活性層分離型DFBと量子細線DBRを有する分布反射型レーザの低電流・高効率動作(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• GaInAsP/InP歪量子細線レーザの利得異方性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
• 基礎からわかるナノデバイス, 青柳克信,石橋幸治,高柳英明,中ノ勇人,平山祥郎(共著), コロナ社, 2011-03, A5判, 定価(本体3,400円+税)
• C-4-31 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザの試作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-19 部分ドープ多重量子井戸によるInP系マッハツェンダ変調器の低駆動電圧化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-15 バットジョイントによるInP系90°ハイブリッド集積型pin-PDの高感度・広帯域動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
• C-3-48 100Gb/s小型コヒーレントレシーバ向けInP系90.ハイブリッドMMI集積型受光素子(光集積デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-27 InP系変調素子とドライバICを内蔵した小型DP-QPSK変調器モジュールの低消費電力駆動(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
• 100Gb/s小型コヒーレントレシーバ向けInP系90°ハイブリッド : 集積型pin-PDの高感度・広帯域動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 100Gb/s小型コヒーレントレシーバ向けInP系90°ハイブリッド : 集積型pin-PDの高感度・広帯域動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• OFC/NFOEC2013報告 : アクティブモジュール/集積デバイス・シリコンフォトニクス(光変復調方式,多値光変復調,コヒーレント光通信,光増幅・中継技術,非線形・偏波問題,コア・メトロシステム,海底伝送システム,光伝送システム設計・ツール,一般(OFC報告))
• B-10-86 InP系90゜ハイブリッド集積型PDを用いた100Gb/s小型コヒーレントレシーバ(B-10.光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格))
• InP系90°ハイブリッド集積PDを搭載した小型コヒーレントレシーバ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• InP系90°ハイブリッド集積PDを搭載した小型コヒーレントレシーバ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• InP系90°ハイブリッド集積PDを搭載した小型コヒーレントレシーバ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• InP系90°ハイブリッド集積PDを搭載した小型コヒーレントレシーバ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• コヒーレントレシーバの高感度化に向けた90°ハイブリッド集積型受光素子(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))
• InP系90°ハイブリッド集積PDを搭載した小型コヒーレントレシーバ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• コヒーレントレシーバの高感度化に向けた90°ハイブリッド集積型受光素子(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))
• コヒーレントレシーバの高感度化に向けた90°ハイブリッド集積型受光素子(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))
• C-4-10 100Gb/s小型コヒーレントレシーバ向けInP系90°ハイブリッド集積型PDアレイの高信頼性動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)

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