勝山 造 | 住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
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概要
関連著者
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勝山 造
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
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勝山 造
住友電工(株)伝送デバイス研究所
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勝山 造
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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橋本 順一
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
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橋本 順一
財団法人光産業技術振興協会:住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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勝山 造
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
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勝山 造
住友電気工業
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加藤 隆志
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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辻 幸洋
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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辻 幸洋
住友電工(株)伝送デバイス研究所
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山田 隆史
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橋本 順一
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小山 健二
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
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小山 健二
住友電気工業(株) オプトエレクトニクス研究所
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住友電気工業(株)半導体技術研究所
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山口 章
住友電気工業
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佐々木 吾朗
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
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村田 道夫
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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山口 章
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
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中西 裕美
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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加藤 隆志
住友電気工業株式会社 伝送デバイス研究所
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山林 直之
光インターコネクション住電研究室, RWCP
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山林 直之
光インターコネクション住電研究室 Rwcp
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辻 幸洋
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
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吉田 和宣
フォト・エレクトロン事業部
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住友電気工業(株)半導体技術研究所
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住友電工(株)伝送デバイス研究所
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住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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山口 章
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
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住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
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吉永 弘幸
住友電工(株)伝送デバイス研究所
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村田 誠
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加藤 隆志
住友電工(株)伝送デバイス研究所
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稲田 博史
住友電工(株)伝送デバイス研究所
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三浦 貴光
住友電工(株)伝送デバイス研究所
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福田 智恵
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
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中西 裕美
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中西 裕美
オプトエレクトロニクス研究所住友電気工業株式会社
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吉田 和宣
フォト・エレクトロン事業部住友電気工業株式会社
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福田 智恵
住友電気工業株式会社伝送デ
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山林 直之
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
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山口 章
オプトエレクトロニクス研究所住友電気工業株式会社
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勝山 造
オプトエレクトロニクス研究所住友電気工業株式会社
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山林 直之
オプトエレクトロニクス研究所住友電気工業株式会社
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吉田 和宣
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橋本 順一
光インターコネクション住電研究室, RWCP
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光インターコネクション住電研究室, RWCP
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佐々木 吾朗
光インターコネクション住電研究室, RWCP
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住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
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北山 賢一
住友電気工業株式会社 オプトエレクトロニクス研究所
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石田 晶
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石田 晶
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住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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佐々木 吾朗
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
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高岸 成典
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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伊東 雅史
住友電気工業
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村田 道夫
住友電気工業(株) オプトエレクトロニクス研究所
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石田 晶
住友電気工業
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猪口 康博
住友電気工業 オプトエレクトロニクス研
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佐々木 吾朗
住友電気工業 オプトエレクトロニクス研
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高岸 成典
住友電工(株)伝送デバイス研究所
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住友電気工業株式会社
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住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
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山口 章
光インターコネクション住電研究室, RWCP
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光インターコネクション住電研究室, RWCP
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住友電気工業株式会社
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佐々木 吾郎
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橋本 順一
オプトエレクトロニクス研究所住友電気工業株式会社
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加藤 隆志
オプトエレクトロニクス研究所住友電気工業株式会社
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オプトエレクトロニクス研究所住友電気工業株式会社
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佐々木 吾朗
オプトエレクトロニクス研究所住友電気工業株式会社
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斎藤 達彦
住友電気工業(株)横浜研究所
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財団法人光産業技術振興協会
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橋本 順一
財団法人光産業技術振興協会
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勝山 造
財団法人光産業技術振興協会
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猪口 康博
財団法人光産業技術振興協会
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山田 隆史
財団法人光産業技術振興協会
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石田 晶
財団法人光産業技術振興協会
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柴田 俊和
住友電気工業
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井上 亨
住友電気工業
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田辺 達也
住友電気工業
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住友電気工業(株)半導体技術研究所
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勝山 造
住友電気工業(株) オプトエレクトニクス研究所
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田和 克久
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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河原 孝彦
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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小山 健二
住友電工(株)伝送デバイス研究所
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石塚 貴司
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藤井 康祐
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山田 隆史
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福田 智恵
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小山 健二
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
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高橋 成治
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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嵯峨 宣弘
住友電気工業(株)
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牧 久雄
住友電気工業(株)横浜研究所
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瀬村 滋
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
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瀬村 滋
住友電気工業(株)
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川端 吉純
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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田辺 達也
住友電気工業(株)半導体技術研究所
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塩崎 学
住友電気工業 解析技研セ
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斎藤 達彦
住友電気工業(株)光通信研究所
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田和 克久
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
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八木 英樹
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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斎藤 和人
Seiオプティフロンティア株式会社機器事業部
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高岸 成典
住友電気工業株式会社
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嵯峨 宣弘
住友電気工業
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稲田 博史
住友電気工業株式会社
著作論文
- C-3-132 1.25Gbps, 80km 伝送可能な同軸型 FGL モジュール
- 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
- 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
- OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待論文]OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- C3-35 多チャンネル可変光減衰器(VOA)の低消費電力化
- 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
- 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
- 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
- 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
- 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
- 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
- GaInNAs半導体光増幅器をモノリシック集積した半導体光符号化デバイス(フォトニックネットワーク用デバイス技術,及びその応用,一般)
- C-4-28 トンネル接合を用いた長波長GaInNAs-VCSELの10Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-14 GaInNAs系EA-DFBレーザの25-100℃無温調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- B-8-34 40Gbps EMLを用いた1.3μm帯LAN-WDMの伝送方式の検討(B-8.通信方式,一般セッション)
- GaAs回折格子を有するGaInNAs系DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-5 GaInNAs-SOAをモノリシック集積した半導体光符号/相関器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- C-4-31 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザの試作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作