山田 隆史 | 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

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概要

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関連著者

• 山田 隆史

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 橋本 順一

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 橋本 順一

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 勝山 造

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 勝山 造

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 勝山 造

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 橋本 順一

  財団法人光産業技術振興協会:住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 小山 健二

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 勝山 造

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 勝山 造

  住友電気工業

• 小山 健二

  住友電気工業(株) オプトエレクトニクス研究所

• 辻 幸洋

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 猪口 康博

  住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所

• 辻 幸洋

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 石塚 貴司

  住友電気工業(株)半導体技術研究所

• 辻 幸洋

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 福田 智恵

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 藤井 康祐

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 福田 智恵

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 大西 裕

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 高岸 茂典

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 高岸 成典

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 高岸 成典

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 福田 智恵

  住友電気工業株式会社伝送デ

• 高岸 成典

  住友電エオプトエレクトロニクス研

• 石田 晶

  住友電気工業(株)研究開発部門:(財)光産業技術振興協会

• 石田 晶

  研究開発部門

• 伊東 雅史

  住友電気工業(株)横浜製作所

• 村田 道夫

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 伊東 雅史

  住友電気工業株式会社光伝送デバイス事業部

• 伊東 雅史

  住友電気工業

• 村田 道夫

  住友電気工業(株) オプトエレクトロニクス研究所

• 山田 隆史

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 石田 晶

  住友電気工業

• 猪口 康博

  住友電気工業 オプトエレクトロニクス研

• 石田 晶

  住友電気工業株式会社究開発部門

• 中山 正昭

  大阪市大院工

• 野村 江介

  大阪市大院工

• 中山 正昭

  大阪市大院

• 小山 健二

  財団法人光産業技術振興協会

• 橋本 順一

  財団法人光産業技術振興協会

• 勝山 造

  財団法人光産業技術振興協会

• 猪口 康博

  財団法人光産業技術振興協会

• 山田 隆史

  財団法人光産業技術振興協会

• 石田 晶

  財団法人光産業技術振興協会

• 田和 克久

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 河原 孝彦

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 橋本 順一

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 小山 健二

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 石塚 貴司

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 藤井 康祐

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 福田 智恵

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 猪口 康博

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 本 昭浩

  住友電工(株)オプトエレクトロニクス研

• 田和 克久

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 高岸 成典

  住友電気工業株式会社

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著作論文

• OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• [招待論文]OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• GaInNAs半導体光増幅器をモノリシック集積した半導体光符号化デバイス(フォトニックネットワーク用デバイス技術,及びその応用,一般)
• 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• C-4-14 GaInNAs系EA-DFBレーザの25-100℃無温調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• B-8-34 40Gbps EMLを用いた1.3μm帯LAN-WDMの伝送方式の検討(B-8.通信方式,一般セッション)
• GaAs回折格子を有するGaInNAs系DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• C-4-5 GaInNAs-SOAをモノリシック集積した半導体光符号/相関器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
• 14pYC-5 GaInNAs/GaAs 単一量子井戸構造の光学特性に対する窒素混晶化効果(量子井戸・超格子 : 輸送現象・光学応答, 領域 4)
• 20pTH-13 GaInNAs/GaAs 量子井戸構造の発光ダイナミクスに対する局在効果
• 情報通信 Sb添加によるGaInNAs量子井戸の光学特性の改善
• 全有機金属原料OMVPE法による大面積,超高効率太陽電池の開発

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