小山 健二 | 住友電気工業(株) オプトエレクトニクス研究所
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概要
関連著者
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小山 健二
住友電気工業(株) オプトエレクトニクス研究所
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著作論文
- OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待論文]OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- C3-35 多チャンネル可変光減衰器(VOA)の低消費電力化
- C-4-28 トンネル接合を用いた長波長GaInNAs-VCSELの10Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
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- 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
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- C-4-14 GaInNAs系EA-DFBレーザの25-100℃無温調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 8チャンネル集積光可変減衰器(VOA)の開発
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- PLC型可変損失スロープ補償器の特性
- PLC型可変損失スロープ補償器の特性
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- C-4-5 GaInNAs-SOAをモノリシック集積した半導体光符号/相関器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- PLC型可変損失スロープ補償器
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