辻 幸洋 | 住友電工(株)伝送デバイス研究所
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概要
関連著者
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辻 幸洋
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
辻 幸洋
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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勝山 造
住友電工(株)伝送デバイス研究所
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橋本 順一
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
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橋本 順一
財団法人光産業技術振興協会:住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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勝山 造
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
勝山 造
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
橋本 順一
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
吉永 弘幸
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
村田 道夫
住友電工(株)伝送デバイス研究所
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八木 英樹
住友電工(株)伝送デバイス研究所
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吉永 弘幸
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
村田 誠
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
加藤 隆志
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
稲田 博史
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
三浦 貴光
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
辻 幸洋
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
橋本 順一
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
小山 健二
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
大西 裕
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
山田 隆史
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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勝山 造
住友電気工業
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稲田 博史
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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村田 誠
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
三浦 貴光
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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加藤 隆志
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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勝山 造
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
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福田 智恵
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
小山 健二
住友電気工業(株) オプトエレクトニクス研究所
-
村田 道夫
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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石塚 貴司
住友電気工業(株)半導体技術研究所
-
藤井 康祐
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
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福田 智恵
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
福田 智恵
住友電気工業株式会社伝送デ
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吉永 弘幸
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
八木 英樹
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
平塚 健二
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
八木 英樹
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
市川 弘之
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
上坂 勝己
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
上坂 勝己
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
市川 弘之
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
野間口 俊夫
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
市川 弘之
住友電気工業 伝送デバイス研
-
柳沢 昌輝
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
猪口 康博
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
-
石田 晶
住友電気工業(株)研究開発部門:(財)光産業技術振興協会
-
小山 健二
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
石塚 貴司
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
藤井 康祐
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
山田 隆史
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
福田 智恵
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
石田 晶
住友電気工業
-
石田 晶
研究開発部門
-
猪口 康博
住友電気工業 オプトエレクトロニクス研
-
河野 直哉
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
河野 直哉
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
加藤 隆志
住友電気工業(株)
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加藤 隆志
住友電気工業
-
稲田 博史
住友電気工業株式会社
著作論文
- ナノインプリント技術を応用した光通信用レーザの作製
- BCB埋め込み型リッジ導波路構造を有する1.3μm波長帯AlGaInAs/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- BCB埋め込み型リッジ導波路構造を有する1.3μm波長帯AlGaInAs/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-14 GaInNAs系EA-DFBレーザの25-100℃無温調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- GaAs回折格子を有するGaInNAs系DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-5 GaInNAs-SOAをモノリシック集積した半導体光符号/相関器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- フォトニックネットワーク用半導体集積光ラベル符号化デバイス
- 分布帰還型半導体レーザの回折格子へのUVナノインプリント技術の応用 (特集 インプリントリソグラフィのフォトニクスへの応用)
- C-4-16 ナノインプリント技術を用いたDFBレーザの作製(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-31 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザの試作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作