中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
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概要
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我々は、中赤外量子カスケードレーザ(QCL)用の活性層として、LOフォノン散乱の増大を抑制しつつ、発光遷移確率の選択的な増大による利得増加の効果が期待できる、垂直遷移型活性層構造を考案した。本活性層を用いたFP-QCLを試作し、従来の対角遷移型FP-QCLと比較した結果、室温で約30%の閾値電流の低減が得られ、本活性層導入による特性改善を確認した。さらに本活性層を有する複素屈折率結合型DFB-QCLを試作し、室温までの単一モードでのパルス発振に成功した。共振器長2mmのアンコート素子において、室温で3.8kA/cm^2の閾値電流密度が得られ、また発振波長の温度依存性は約0.4nm/Kであった。
- 2012-01-19
著者
-
橋本 順一
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
村田 道夫
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
勝山 造
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
橋本 順一
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
辻 幸洋
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
勝山 造
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
勝山 造
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
稲田 博史
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
村田 誠
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
三浦 貴光
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
橋本 順一
財団法人光産業技術振興協会:住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
加藤 隆志
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
辻 幸洋
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
吉永 弘幸
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
村田 道夫
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
八木 英樹
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
吉永 弘幸
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
村田 誠
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
加藤 隆志
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
稲田 博史
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
三浦 貴光
住友電工(株)伝送デバイス研究所
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